Оптоэлектрические свойства и магнетосопротивление образцов чистого проводящего полимера MEH-PPV, чистых квантовых точек PbS и нанокомпозитов MEH-PPV/ квантовых точек PbS в разных отношениях были иследованы. Были изготовлены сэндвич-структуры: контактол Ag – полимер - ITO, Ag - квантовые точки PbS - ITO , Ag – нанокомпозит – ITO и латеральные структуры Ag - полимер - Ag, Ag - квантовые точки PbS - Ag, Ag- нанокомпозит - Ag для измерения вольт - амперных характеристик образцов. Вольт - амперные характеристики измерялись в темноте, при освещении в различных магнитных полях (от 0 мТл до 400 мТл). Эффект отрицательного магнитосопротивления наблюдался во всех образцах. Также, при освещении, сопротивление образцов уменьшается. Разность между изменением сопротивления при освещении и изменением из-за магнитное поле уменьшается при повышении напряженности магнитого поля. Модель прыжковой проводимости электронов s- состояния и p- состояния была выбрана для объяснения отрицательного магнитосопротивления.

Optoelectrical properties and magnetoresistance of conductive polymer MEH-PPV, PbS quantum dots and MEH-PPV/quantum dots PbS nanocomposite of different mixture ratio samples were investigated. We made sandwich structures from silver powder solution Ag - polymer - ITO, Ag - quantum dots PbS - ITO, Ag - nanocomposite - ITO and lateral structures of Ag - polymer - Ag, Ag - quantum dots PbS - Ag, Ag - nanocomposite - Ag, to measure volt-ampere characteristics of samples. Volt - ampere characteristics were measured in darkness, under illumination in magnetic field with different magnitudes (0 – 400 mT). Effect of negative magnetoresistance was observed in all samples. Also, under illumination, resistance of samples decreases and this decrease depend on the magnitude of the magnetic field. The model which is chosen to explain this effect is hopping-conduction model.