Details

Title: Пьезоэлектрические поля в атомно-упорядоченных твердых растворах GaInP2: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Creators: Балунов Петр Андреевич
Scientific adviser: Минтаиров Александр Миссавирович; Габдуллин Павел Гарифович
Other creators: Давыдов Сергей Николаевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: пьезоэлектрические поля; спонтанное упорядочение; твердый раствор GaInP2; доменная структура твердого раствора; МОС-гидридная эпитаксия (МОСГЭ); фотолюминесценция (ФЛ); комбинационное (рамановское) рассеяние света (КРС); электросиловая (Кельвиновская) микроскопия; piezo-electic fields; solid solution GaInP2; self-organizе; domain structure of solid solution; Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD); photoluminescence (PL); Raman light scattering; Kelvin-probe microscopy
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3606
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\12521

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе были исследованы свойства твердого раствора GaInP2 разной толщины. Для исследования было выращено 4 образца на подложке GaAs с толщиной слоя GaInP2 70, 250, 500 и 1500 нм. Образцы выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Исследование включало в себя оптические и электрические методы исследования. Производилась регистрация спектров фотолюминесценции, а также комбинационного рассеяния света. На основании оптических методов исследования были сделаны выводы о наличие тонкой структуры у всех образцов, о различие спектров фотолюминесценции образцов разной толщины по длине волны, а также об одинаковой упорядоченности всех четырех структур разной толщины. Был использован методом электросиловой микроскопии, на основании которого получены картины распределение потенциала на поверхности, а также по нормали к поверхности твердого раствора GaInP2 разной толщины. Также были рассчитаны пьезоэлектрические поля в латеральном и нормальном направлениях.

In this work were investigated the properties of solid solutions GaInP2 of different thicknesses. For the research four samples were grown on a GaAs substrate with GaInP2 layer thickness of 70, 250, 500, and 1500 nm. The samples were grown by the MOCVD method. The research included optical and electrical research methods. The photoluminescence and Raman spectra were recorded as optical spectra. On the basis of optical research methods, conclusions were drawn about the presence of a thin structure in all samples, about the difference in the photoluminescence spectra with respect to the wavelength, as well as about the same ordering of all four structures of different thicknesses. Electric force microscopy was used as an electrical research method, on the basis of which patterns of potential distribution on the surface, as well as along the normal to the surface of the GaInP2 solid solution of various thicknesses, were obtained. Piezoelectric fields were also calculated in the lateral and normal directions.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1.1. Гетероструктуры
      • 1.1.1. Спонтанное упорядочение в твердых растворах.
      • 1.1.3. Механизмы релаксации.
    • 1.2. МОС-гидридная эпитаксия.

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics