Лекс, Елена Ярославовна. Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем» = The formation of silicon carbide in a two-layer thin-film structure of silicon-carbon by electron irradiation / Е. Я. Лекс; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций; научный руководитель О. А. Подсвиров; консультант по нормоконтролю С. Н. Давыдов. — Санкт-Петербург, 2021. — 1 файл (2,3 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/vr21-3829.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-3829-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-3829-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-3829-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829. — Текст