Детальная информация

Название: Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем»
Авторы: Лекс Елена Ярославовна
Научный руководитель: Подсвиров Олег Алексеевич
Другие авторы: Давыдов Сергей Николаевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Кремний, карбиды; Спектроскопия комбинационного рассеяния света; кремний; углерод; карбид кремния; силикатное стекло; электронное облучение; спектроскопия комбинационного рассеяния
УДК: 661.665.1:535.33
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12461

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена исследованию изменения структуры двухслойных пленок кремний-углерод на стекле в результате электронного облучения. Было показано, что при облучении электронами энергией 11 кэВ с дозой 30 мКл/см2 двухслойной пленки кремний-углерод происходит образование включений кристаллического карбида кремния разных политипов. Также в местах облучения аморфные пленки кремния и углерода локально кристаллизуются.

This work is devoted to the study of changes in the structure of two-layer silicon-carbon films on glass under electron irradiation. It was shown that irradiation with 11 keV electrons with a dose of 30 mC/cm2 of a two-layer silicon-carbon film leads to the formation of crystalline silicon carbide of different polytypes. Also, under irradiation, amorphous films of silicon and carbon crystallize locally.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика