Детальная информация
Название | Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем» |
---|---|
Авторы | Лекс Елена Ярославовна |
Научный руководитель | Подсвиров Олег Алексеевич |
Другие авторы | Давыдов Сергей Николаевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | Кремний, карбиды ; Спектроскопия комбинационного рассеяния света ; кремний ; углерод ; карбид кремния ; силикатное стекло ; электронное облучение ; спектроскопия комбинационного рассеяния |
УДК | 661.665.1:535.33 |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Магистратура |
Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\12461 |
Дата создания записи | 09.07.2021 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена исследованию изменения структуры двухслойных пленок кремний-углерод на стекле в результате электронного облучения. Было показано, что при облучении электронами энергией 11 кэВ с дозой 30 мКл/см2 двухслойной пленки кремний-углерод происходит образование включений кристаллического карбида кремния разных политипов. Также в местах облучения аморфные пленки кремния и углерода локально кристаллизуются.
This work is devoted to the study of changes in the structure of two-layer silicon-carbon films on glass under electron irradiation. It was shown that irradiation with 11 keV electrons with a dose of 30 mC/cm2 of a two-layer silicon-carbon film leads to the formation of crystalline silicon carbide of different polytypes. Also, under irradiation, amorphous films of silicon and carbon crystallize locally.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 6
За последние 30 дней: 0