Details

Title Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем»
Creators Лекс Елена Ярославовна
Scientific adviser Подсвиров Олег Алексеевич
Other creators Давыдов Сергей Николаевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2021
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Кремний, карбиды ; Спектроскопия комбинационного рассеяния света ; кремний ; углерод ; карбид кремния ; силикатное стекло ; электронное облучение ; спектроскопия комбинационного рассеяния
UDC 661.665.1:535.33
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 16.04.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\12461
Record create date 7/9/2021

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа посвящена исследованию изменения структуры двухслойных пленок кремний-углерод на стекле в результате электронного облучения. Было показано, что при облучении электронами энергией 11 кэВ с дозой 30 мКл/см2 двухслойной пленки кремний-углерод происходит образование включений кристаллического карбида кремния разных политипов. Также в местах облучения аморфные пленки кремния и углерода локально кристаллизуются.

This work is devoted to the study of changes in the structure of two-layer silicon-carbon films on glass under electron irradiation. It was shown that irradiation with 11 keV electrons with a dose of 30 mC/cm2 of a two-layer silicon-carbon film leads to the formation of crystalline silicon carbide of different polytypes. Also, under irradiation, amorphous films of silicon and carbon crystallize locally.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 6 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics