Details
| Title | Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем» |
|---|---|
| Creators | Лекс Елена Ярославовна |
| Scientific adviser | Подсвиров Олег Алексеевич |
| Other creators | Давыдов Сергей Николаевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | Кремний, карбиды ; Спектроскопия комбинационного рассеяния света ; кремний ; углерод ; карбид кремния ; силикатное стекло ; электронное облучение ; спектроскопия комбинационного рассеяния |
| UDC | 661.665.1:535.33 |
| Document type | Master graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 16.04.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| Links | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | ru\spstu\vkr\12461 |
| Record create date | 7/9/2021 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Данная работа посвящена исследованию изменения структуры двухслойных пленок кремний-углерод на стекле в результате электронного облучения. Было показано, что при облучении электронами энергией 11 кэВ с дозой 30 мКл/см2 двухслойной пленки кремний-углерод происходит образование включений кристаллического карбида кремния разных политипов. Также в местах облучения аморфные пленки кремния и углерода локально кристаллизуются.
This work is devoted to the study of changes in the structure of two-layer silicon-carbon films on glass under electron irradiation. It was shown that irradiation with 11 keV electrons with a dose of 30 mC/cm2 of a two-layer silicon-carbon film leads to the formation of crystalline silicon carbide of different polytypes. Also, under irradiation, amorphous films of silicon and carbon crystallize locally.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 6
Last 30 days: 0
