Details

Title: Формирование карбида кремния в двухслойной тонкопленочной структуре кремний –углерод электронным облучением: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем»
Creators: Лекс Елена Ярославовна
Scientific adviser: Подсвиров Олег Алексеевич
Other creators: Давыдов Сергей Николаевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Кремний, карбиды; Спектроскопия комбинационного рассеяния света; кремний; углерод; карбид кремния; силикатное стекло; электронное облучение; спектроскопия комбинационного рассеяния
UDC: 661.665.1:535.33
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3829
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена исследованию изменения структуры двухслойных пленок кремний-углерод на стекле в результате электронного облучения. Было показано, что при облучении электронами энергией 11 кэВ с дозой 30 мКл/см2 двухслойной пленки кремний-углерод происходит образование включений кристаллического карбида кремния разных политипов. Также в местах облучения аморфные пленки кремния и углерода локально кристаллизуются.

This work is devoted to the study of changes in the structure of two-layer silicon-carbon films on glass under electron irradiation. It was shown that irradiation with 11 keV electrons with a dose of 30 mC/cm2 of a two-layer silicon-carbon film leads to the formation of crystalline silicon carbide of different polytypes. Also, under irradiation, amorphous films of silicon and carbon crystallize locally.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 1
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics