Details

Title Повышение квантовой эффективности солнечно-слепых фотокатодов на основе гетероструктур в системе материалов (AlGa)N, выращенных плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators Николаева Анна Владимировна
Scientific adviser Рыков Сергей Александрович
Other creators Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2021
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects солнечно-слепой диапазон ; ОЭС-фотокатоды ; слои AlGaN ; формула квантовой эффективности ; плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия ; УФ-оптоэлектроника ; solar-blind range ; negative electron affinity photocathode ; AlGaN layer ; quantum efficiency formula ; plasma-activated molecular-beam epitaxy ; UV-optoelectronics
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4740
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\12316
Record create date 7/2/2021

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В работе проведен теоретический анализ влияния на квантовую эффективность фотокатодов основных параметров их активной области, включая диффузионную длину электронов, а также толщину активной области. Было установлено, что в конструкции фотокатодов с варизонными слоями AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, с переменным 0,4 < x < 0,8 содержанием Al, наблюдается введение постоянного электрического поля, ускоряющего электроны к эмитирующей поверхности. Для учета этого эффекта в расчетах использовалась дрейфовая и диффузионная длина, что привело к увеличению эффективной толщины активной области. Показано, что в результате повышения эффективности поглощения внешнего УФ-излучения, теоретически, квантовая эффективность фотокатодов может быть увеличена более, чем в 2 раза, практически получено увеличение в 1,5 раза.

This work presents a theoretical analysis of how the quantum efficiency of photocathodes depends on main parameters of their active layer, including the diffusion length of electrons, as well as the thickness of the active layer. It was found that in the design of photocathodes with graded-gap layers AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, with with variable 0,4 <x <0,8 Al content, the introduction of a constant electric field is observed, which accelerates electrons to the emitting surface. To take this effect into account, the drift and diffusion lengths were used in the calculations, which led to an increase in the effective thickness of the active layer. It is shown that, as a result of an increase in the absorption efficiency of external UV-radiation, theoretically, the quantum efficiency of a photocathodes can be increased by more than 2 times; in practice, an increase of 1,5 times is obtained.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 9 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics