Details

Title: Повышение квантовой эффективности солнечно-слепых фотокатодов на основе гетероструктур в системе материалов (AlGa)N, выращенных плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators: Николаева Анна Владимировна
Scientific adviser: Рыков Сергей Александрович
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: солнечно-слепой диапазон; ОЭС-фотокатоды; слои AlGaN; формула квантовой эффективности; плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия; УФ-оптоэлектроника; solar-blind range; negative electron affinity photocathode; AlGaN layer; quantum efficiency formula; plasma-activated molecular-beam epitaxy; UV-optoelectronics
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4740
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\12316

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе проведен теоретический анализ влияния на квантовую эффективность фотокатодов основных параметров их активной области, включая диффузионную длину электронов, а также толщину активной области. Было установлено, что в конструкции фотокатодов с варизонными слоями AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, с переменным 0,4 < x < 0,8 содержанием Al, наблюдается введение постоянного электрического поля, ускоряющего электроны к эмитирующей поверхности. Для учета этого эффекта в расчетах использовалась дрейфовая и диффузионная длина, что привело к увеличению эффективной толщины активной области. Показано, что в результате повышения эффективности поглощения внешнего УФ-излучения, теоретически, квантовая эффективность фотокатодов может быть увеличена более, чем в 2 раза, практически получено увеличение в 1,5 раза.

This work presents a theoretical analysis of how the quantum efficiency of photocathodes depends on main parameters of their active layer, including the diffusion length of electrons, as well as the thickness of the active layer. It was found that in the design of photocathodes with graded-gap layers AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, with with variable 0,4 <x <0,8 Al content, the introduction of a constant electric field is observed, which accelerates electrons to the emitting surface. To take this effect into account, the drift and diffusion lengths were used in the calculations, which led to an increase in the effective thickness of the active layer. It is shown that, as a result of an increase in the absorption efficiency of external UV-radiation, theoretically, the quantum efficiency of a photocathodes can be increased by more than 2 times; in practice, an increase of 1,5 times is obtained.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 6
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics