Details
Title | Повышение квантовой эффективности солнечно-слепых фотокатодов на основе гетероструктур в системе материалов (AlGa)N, выращенных плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» |
---|---|
Creators | Николаева Анна Владимировна |
Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович |
Other creators | Гаврикова Татьяна Андреевна |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | солнечно-слепой диапазон ; ОЭС-фотокатоды ; слои AlGaN ; формула квантовой эффективности ; плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия ; УФ-оптоэлектроника ; solar-blind range ; negative electron affinity photocathode ; AlGaN layer ; quantum efficiency formula ; plasma-activated molecular-beam epitaxy ; UV-optoelectronics |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
Links | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4740 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | ru\spstu\vkr\12316 |
Record create date | 7/2/2021 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В работе проведен теоретический анализ влияния на квантовую эффективность фотокатодов основных параметров их активной области, включая диффузионную длину электронов, а также толщину активной области. Было установлено, что в конструкции фотокатодов с варизонными слоями AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, с переменным 0,4 < x < 0,8 содержанием Al, наблюдается введение постоянного электрического поля, ускоряющего электроны к эмитирующей поверхности. Для учета этого эффекта в расчетах использовалась дрейфовая и диффузионная длина, что привело к увеличению эффективной толщины активной области. Показано, что в результате повышения эффективности поглощения внешнего УФ-излучения, теоретически, квантовая эффективность фотокатодов может быть увеличена более, чем в 2 раза, практически получено увеличение в 1,5 раза.
This work presents a theoretical analysis of how the quantum efficiency of photocathodes depends on main parameters of their active layer, including the diffusion length of electrons, as well as the thickness of the active layer. It was found that in the design of photocathodes with graded-gap layers AlxGa1-xN/AlyGa1 yN, with with variable 0,4 <x <0,8 Al content, the introduction of a constant electric field is observed, which accelerates electrons to the emitting surface. To take this effect into account, the drift and diffusion lengths were used in the calculations, which led to an increase in the effective thickness of the active layer. It is shown that, as a result of an increase in the absorption efficiency of external UV-radiation, theoretically, the quantum efficiency of a photocathodes can be increased by more than 2 times; in practice, an increase of 1,5 times is obtained.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 9
Last 30 days: 0