Данная работа посвящена разработке методики электрохимического синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Провести анализ существующих методов синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 2. Разработать алгоритм синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 3. Разработать экспериментальную установку для электрохимического осаждения термоэлектрических материалов. 4. Определить составы и термоэлектрические свойства синтезированных образцов полупроводников. В результате были проанализированы существующие методы синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. Представлены результаты по разработке метода синтеза термоэлектрических материалов методом электрохимического осаждения. Синтез осуществлялся в трехэлектродной ячейке с использованием потенциостата – гальваностата Р40Х от компании «Electrochemical Instruments». Контроль состава и структуры синтезированных образцов проводился с помощью сканирующего электронного микроскопа. Термоэлектрические характеристик измерялись с помощью прибора NETZCH SBA 458 Nemesis®. Были получены процентные соотношения составов синтезированных образцов. Отклонение от требуемой стехиометрии составляет от 6-20%.

This work is devoted to the development of a technique for the electrochemical synthesis of semiconductor thermoelectric materials based on bismuth telluride. Problems, which are solved in the course of the study: 1. To analyze the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 2. Develop an algorithm for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 3. Develop an experimental setup for electrochemical deposition of thermoelectric materials. 4. Determine the compositions and thermoelectric properties of synthesized semiconductor samples. As a result, the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials were analyzed. The results of the development of a method for the synthesis of thermoelectric materials by the method of electrochemical deposition are presented. The synthesis was carried out in a three-electrode cell using a potentiostat - galvanostat P40X from Electrochemical Instruments. The composition and structure of the synthesized samples were monitored using a scanning electron microscope. Thermoelectric characteristics were measured using a NETZCH SBA 458 Nemesis® instrument. The percentage ratios of the compositions of the synthesized samples were obtained. The deviation from the required stoichiometry is 6-20%.