Details

Title: Синтез термоэлектрических материалов методом электрохимического осаждения: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Интегральная электроника и микросистемотехника»
Creators: Голубев Роман Михайлович
Scientific adviser: Лобода Вера Владимировна
Other creators: Енученко Михаил Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Пленки тонкие; Полупроводники; Термоэлектрические материалы; Осаждение (хим.); Теллуриды
UDC: 621.36
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4987
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\12324

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена разработке методики электрохимического синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Провести анализ существующих методов синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 2. Разработать алгоритм синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 3. Разработать экспериментальную установку для электрохимического осаждения термоэлектрических материалов. 4. Определить составы и термоэлектрические свойства синтезированных образцов полупроводников. В результате были проанализированы существующие методы синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. Представлены результаты по разработке метода синтеза термоэлектрических материалов методом электрохимического осаждения. Синтез осуществлялся в трехэлектродной ячейке с использованием потенциостата – гальваностата Р40Х от компании «Electrochemical Instruments». Контроль состава и структуры синтезированных образцов проводился с помощью сканирующего электронного микроскопа. Термоэлектрические характеристик измерялись с помощью прибора NETZCH SBA 458 Nemesis®. Были получены процентные соотношения составов синтезированных образцов. Отклонение от требуемой стехиометрии составляет от 6-20%.

This work is devoted to the development of a technique for the electrochemical synthesis of semiconductor thermoelectric materials based on bismuth telluride. Problems, which are solved in the course of the study: 1. To analyze the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 2. Develop an algorithm for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 3. Develop an experimental setup for electrochemical deposition of thermoelectric materials. 4. Determine the compositions and thermoelectric properties of synthesized semiconductor samples. As a result, the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials were analyzed. The results of the development of a method for the synthesis of thermoelectric materials by the method of electrochemical deposition are presented. The synthesis was carried out in a three-electrode cell using a potentiostat - galvanostat P40X from Electrochemical Instruments. The composition and structure of the synthesized samples were monitored using a scanning electron microscope. Thermoelectric characteristics were measured using a NETZCH SBA 458 Nemesis® instrument. The percentage ratios of the compositions of the synthesized samples were obtained. The deviation from the required stoichiometry is 6-20%.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics