Детальная информация

Название: Синтез термоэлектрических материалов методом электрохимического осаждения: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Интегральная электроника и микросистемотехника»
Авторы: Голубев Роман Михайлович
Научный руководитель: Лобода Вера Владимировна
Другие авторы: Енученко Михаил Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Пленки тонкие; Полупроводники; Термоэлектрические материалы; Осаждение (хим.); Теллуриды
УДК: 621.36
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4987
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12324

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена разработке методики электрохимического синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Провести анализ существующих методов синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 2. Разработать алгоритм синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. 3. Разработать экспериментальную установку для электрохимического осаждения термоэлектрических материалов. 4. Определить составы и термоэлектрические свойства синтезированных образцов полупроводников. В результате были проанализированы существующие методы синтеза полупроводниковых термоэлектрических материалов. Представлены результаты по разработке метода синтеза термоэлектрических материалов методом электрохимического осаждения. Синтез осуществлялся в трехэлектродной ячейке с использованием потенциостата – гальваностата Р40Х от компании «Electrochemical Instruments». Контроль состава и структуры синтезированных образцов проводился с помощью сканирующего электронного микроскопа. Термоэлектрические характеристик измерялись с помощью прибора NETZCH SBA 458 Nemesis®. Были получены процентные соотношения составов синтезированных образцов. Отклонение от требуемой стехиометрии составляет от 6-20%.

This work is devoted to the development of a technique for the electrochemical synthesis of semiconductor thermoelectric materials based on bismuth telluride. Problems, which are solved in the course of the study: 1. To analyze the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 2. Develop an algorithm for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials. 3. Develop an experimental setup for electrochemical deposition of thermoelectric materials. 4. Determine the compositions and thermoelectric properties of synthesized semiconductor samples. As a result, the existing methods for the synthesis of semiconductor thermoelectric materials were analyzed. The results of the development of a method for the synthesis of thermoelectric materials by the method of electrochemical deposition are presented. The synthesis was carried out in a three-electrode cell using a potentiostat - galvanostat P40X from Electrochemical Instruments. The composition and structure of the synthesized samples were monitored using a scanning electron microscope. Thermoelectric characteristics were measured using a NETZCH SBA 458 Nemesis® instrument. The percentage ratios of the compositions of the synthesized samples were obtained. The deviation from the required stoichiometry is 6-20%.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика