Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Тема выпускной квалификационной работы: «Применение метода дифракции быстрых электронов на отражении при молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками на GaAs/InAs». В рамках данной работы был освоен метод дифракции быстрых электронов на отражении в процессе роста гетероструктур и росте квантовых точек в процессе эпитаксии. Получены и исследованы рефлексы при дифракции, построены графики зависимостей скорости роста от температуры, выращена гетероструктура с квантовыми точками, излучающими в нужном интервале длин волн и с необходимой плотностью.
The topic of the final qualifying work: "Application of the fast electron diffraction method on reflection in molecular beam epitaxy of heterostructures with quantum dots on GaAs/InAs". Within the framework of this work, the method of diffraction of fast electrons for reflection during the growth of heterostructures and the growth of quantum dots during epitaxy was mastered. Diffraction reflexes were obtained and investigated, graphs of the dependences of the growth rate on temperature were constructed, a heterostructure with quantum dots emitting in the desired wavelength range and with the required density was grown.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- СОДЕРЖАНИЕ
- Глава 1. литературный обзор
- 1.1. Свойства соединений
- 1.1.1. InAs, GaAs .
- 1.1.2. AlGaAs
- 1.2. Квантовые точки
- 1.3. Теория роста структур
- 1.3.1. Методы роста
- 1.3.2.Стехиометрия поверхности
- Различие состояний реконструкции объясняется реакцией грани кристалла на различные термодинамические условия с внешней средой. Изменяя стехиометрию и структуру кристаллической решетки приповерхностного слоя, мы переводим поверхность в конфигурацию с м...
- 1.3.3.Реконструкции поверхности, наблюдаемые при МПЭ GaAs(001)
- 1.1. Свойства соединений
- Глава 2. Описание установки мпэ
- Глава 3. Метод ДБЭО (rheed)
- 3.1 Физика метода ДБЭО
- Глава 4. Экспериментльные данные. Мониторинг поверхности
- 4.1 Калибровки роста структуры.
- 4.2 Определение соотношения потоков
- 4.3 Температура роста квантовых точек
- 4.4 Рост структуры с квантовыми точками.
- Заключение
- Список литературы
Usage statistics
Access count: 11
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |