Details

Title: Применение метода дифракции быстрых электронов на отражении (ДБЭО) при молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гетероструктур с квантовыми точками на GaAs/InAs: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_08 «Физика и технология наноструктур»
Creators: Янбаев Ильнур Азатович
Scientific adviser: Жуков Алексей Евгеньевич
Other creators: Сорокин С. В.
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Физико-механический институт
Imprint: Санкт-Петербург, 2022
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: реконструкционный переход; квантовые точки; дифракция быстрых электронов; reconstruction transitions; quantum dots; fast electron difraction
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 03.03.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-1225
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\16658

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Тема выпускной квалификационной работы: «Применение  метода дифракции быстрых электронов на отражении при молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками на GaAs/InAs».  В рамках данной работы был освоен метод дифракции быстрых электронов на отражении в процессе роста гетероструктур и росте квантовых точек в процессе эпитаксии. Получены и исследованы рефлексы при дифракции, построены графики зависимостей скорости роста от температуры, выращена гетероструктура с квантовыми точками, излучающими в нужном интервале длин волн и с необходимой плотностью.

The topic of the final qualifying work: "Application of the fast electron diffraction method on reflection in molecular beam epitaxy of heterostructures with quantum dots on GaAs/InAs". Within the framework of this work, the method of diffraction of fast electrons for reflection during the growth of heterostructures and the growth of quantum dots during epitaxy was mastered. Diffraction reflexes were obtained and investigated, graphs of the dependences of the growth rate on temperature were constructed, a heterostructure with quantum dots emitting in the desired wavelength range and with the required density was grown.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • СОДЕРЖАНИЕ
  • Глава 1. литературный обзор
    • 1.1. Свойства соединений
      • 1.1.1. InAs, GaAs .
      • 1.1.2. AlGaAs
    • 1.2. Квантовые точки
    • 1.3. Теория роста структур
      • 1.3.1. Методы роста
      • 1.3.2.Стехиометрия поверхности
      • Различие состояний реконструкции объясняется реакцией грани кристалла на различные термодинамические условия с внешней средой. Изменяя стехиометрию и структуру кристаллической решетки приповерхностного слоя, мы переводим поверхность в конфигурацию с м...
      • 1.3.3.Реконструкции поверхности, наблюдаемые при МПЭ GaAs(001)
  • Глава 2. Описание установки мпэ
  • Глава 3. Метод ДБЭО (rheed)
    • 3.1 Физика метода ДБЭО
  • Глава 4. Экспериментльные данные. Мониторинг поверхности
    • 4.1 Калибровки роста структуры.
    • 4.2 Определение соотношения потоков
    • 4.3 Температура роста квантовых точек
    • 4.4 Рост структуры с квантовыми точками.
  • Заключение
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 11
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics