Борисенко, Алексей Сергеевич. — Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения транзисторных гетероструктур на основе GaN: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника» = Nuances of ammonia and plasma activated MBE usage in GaN-based transistor heterostructure growth / А. С. Борисенко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт электроники и телекоммуникаций; научный руководитель М. Я. Винниченко; научный руководитель С. И. Петров. — Санкт-Петербург, 2022. — 1 файл (0,7 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2022/vr/vr22-2058.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-2058. — Текст
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Год 2023 | 2 | 0 | 0 | 0 | 2 |
| Год 2024 | 3 | 0 | 2 | 0 | 5 |
| Всего | 5 | 0 | 2 | 0 | 7 |