Объектом исследования являются характеристики современной элементной базы ключевых транзисторов из различных материалов: карбид кремния, нитрид галлия, кремний. Рассмотрены схемы ключевых усилителей мощности: D, E, DE, FE1 и FE2. Целью исследования является возможность повышения энергетической эффективности ключевого усилителя мощности за счёт перехода на элементную базу из новых материалов. В результате исследования была проанализирована современная элементная база для низких и высоких частот в диапазоне от 1 кГц до 10 МГц. Для оценки достоверности результатов было проведено имитационное моделирование, при котором значения формирующего контура и нагрузки были рассчитаны для усилителя классов D и DE с учётом характеристик выбранных МОП и IBGT транзисторов. Задание на выпускную квалификационную работу выполнено в полном объёме.

The subject of the graduate qualification work is the characteristics of the modern element base of switch transistors made of different materials: silicon carbide, gallium nitride, silicon. Circuits of switching mode power amplifiers: D, E, DE, FE1 and FE2 are considered. The given work is devoted to the possibility of improving the energy efficiency of a switching mode power amplifier by switching to an element base of new materials. As a result of the study the modern element base for low and high frequencies in the range from 1 kHz to 10 MHz was analyzed. To assess the validity of the results a simulation was carried out, in which the values of the shaping circuit and load were calculated for an amplifier of classes D and DE, taking into account the characteristics of the selected MOS and IBGT transistors.