Details
Title | Современная элементная база для ключевых усилителей мощности: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы» |
---|---|
Creators | Колупаев Леонид Константинович |
Scientific adviser | Зудов Роман Игоревич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2022 |
Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Subjects | ключевой усилитель мощности; мостовая схема; switch power amplifier; bridge circuit |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 11.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-3690 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | ru\spstu\vkr\18781 |
Record create date | 12/16/2022 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Объектом исследования являются характеристики современной элементной базы ключевых транзисторов из различных материалов: карбид кремния, нитрид галлия, кремний. Рассмотрены схемы ключевых усилителей мощности: D, E, DE, FE1 и FE2. Целью исследования является возможность повышения энергетической эффективности ключевого усилителя мощности за счёт перехода на элементную базу из новых материалов. В результате исследования была проанализирована современная элементная база для низких и высоких частот в диапазоне от 1 кГц до 10 МГц. Для оценки достоверности результатов было проведено имитационное моделирование, при котором значения формирующего контура и нагрузки были рассчитаны для усилителя классов D и DE с учётом характеристик выбранных МОП и IBGT транзисторов. Задание на выпускную квалификационную работу выполнено в полном объёме.
The subject of the graduate qualification work is the characteristics of the modern element base of switch transistors made of different materials: silicon carbide, gallium nitride, silicon. Circuits of switching mode power amplifiers: D, E, DE, FE1 and FE2 are considered. The given work is devoted to the possibility of improving the energy efficiency of a switching mode power amplifier by switching to an element base of new materials. As a result of the study the modern element base for low and high frequencies in the range from 1 kHz to 10 MHz was analyzed. To assess the validity of the results a simulation was carried out, in which the values of the shaping circuit and load were calculated for an amplifier of classes D and DE, taking into account the characteristics of the selected MOS and IBGT transistors.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 1
Last 30 days: 0