Details
Title | Исследование влияния отношения потоков алюминия и аммиака в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства гетероструктур AlN/AlGaN: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» |
---|---|
Creators | Плотников Павел Алексеевич |
Scientific adviser | Винниченко Максим Яковлевич ; Петров С. И. |
Other creators | Гаврикова Татьяна Андреевна |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2022 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | молекулярная лучевая эпитаксия ; нитриды металлов III-группы ; высокотемпературный буферный слой ; двумерный электронный газ ; подвижность ; molecular beam epitaxy ; growth processes ; high-temperature buffer layers ; two-dimensional electron gas ; ammonia flow ; metal organic chemical vapor deposition |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-659 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Record key | ru\spstu\vkr\16630 |
Record create date | 7/27/2022 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В данной работе показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных методом NH3-MBE при экстремально высоких температурах (до 1200°C), позволяет достичь высокого совершенства верхнего слоя GaN. Исследовано влияние потока аммиака в диапазоне температур 1000-1200°C. Получена атомарно-гладкая поверхность AlN. В процессе работы были решены следующие задачи:Выращивание гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN при различных начальных условиях роста.Осуществление контроля в процессе роста следующими методами: лазерная интерферометрия и дифракция быстрых электронов.Проведение измерений физических параметров получившихся структур.Анализ данныхПрименение различных подходов на этапе роста буферных слоев (сурфактант Ga или оптимизированный поток аммиака и температура подложки) позволяет заметно увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.
It is shown that the use of high-temperature AlN/AlGaN buffer layers grown by NH3 -MBE at extremely high temperatures (up to 1200°C) allows one to improve drastically the structural quality of topmost GaN layer. The influence of an ammonia flow in the temperature range 1000–1200°C was investigated. An atomic-smooth AlN surface was obtained. In the process, the following tasks were solved:Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures at different flows of aluminum and ammonia.Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and diffraction of fast electrons.Measurement of the physical parameters of the resulting structures.Data analysisThe use of various approaches at the initial stage of growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 16
Last 30 days: 0