Details

Title: Исследование влияния отношения потоков алюминия и аммиака в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства гетероструктур AlN/AlGaN: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators: Плотников Павел Алексеевич
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич; Петров С. И.
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2022
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: молекулярная лучевая эпитаксия; нитриды металлов III-группы; высокотемпературный буферный слой; двумерный электронный газ; подвижность; molecular beam epitaxy; growth processes; high-temperature buffer layers; two-dimensional electron gas; ammonia flow; metal organic chemical vapor deposition
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-659
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\16630

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных методом NH3-MBE при экстремально высоких температурах (до 1200°C), позволяет достичь высокого совершенства верхнего слоя GaN. Исследовано влияние потока аммиака в диапазоне температур 1000-1200°C. Получена атомарно-гладкая поверхность AlN. В процессе работы были решены следующие задачи:Выращивание гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN при различных начальных условиях роста.Осуществление контроля в процессе роста следующими методами: лазерная интерферометрия и дифракция быстрых электронов.Проведение измерений физических параметров получившихся структур.Анализ данныхПрименение различных подходов на этапе роста буферных слоев (сурфактант Ga или оптимизированный поток аммиака и температура подложки) позволяет заметно увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.

It is shown that the use of high-temperature AlN/AlGaN buffer layers grown by NH3 -MBE at extremely high temperatures (up to 1200°C) allows one to improve drastically the structural quality of topmost GaN layer. The influence of an ammonia flow in the temperature range 1000–1200°C was investigated. An atomic-smooth AlN surface was obtained. In the process, the following tasks were solved:Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures at different flows of aluminum and ammonia.Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and diffraction of fast electrons.Measurement of the physical parameters of the resulting structures.Data analysisThe use of various approaches at the initial stage of growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 9
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics