Детальная информация

Название Разработка малошумящего усилителя для определения низкочастотных источников шума СВЧ- биполярного транзистора с гетеропереходом: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы»
Авторы Большаков Михаил Сергеевич
Научный руководитель Малышев Виктор Михайлович
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2022
Коллекция Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика низкочастотный шум; SiGe транзистор; двухотсчетный метод; МШУ; разработка измерительной установки; low-frequency noise; SiGe transistor; two-count method; LNA; development of a measuring setup
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 11.03.01
Группа специальностей ФГОС 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-843
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)
Ключ записи ru\spstu\vkr\16869
Дата создания записи 27.07.2022

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Тема выпускной квалификационной работы: «Разработка малошумящего усилителя для определения низкочастотных источников шума СВЧ- биполярного транзистора». Данная работа направлена на разработку схемы измерительной установки для выделения НЧ источников шума СВЧ биполярного транзистора с гетеропереходом. Были рассмотрены разные методы измерения НЧ шумов. На основе одного из методов была разработана схема измерительной установки. Для этой установки были разработаны два МШУ, произведена оценка их чувствительности, а также смоделированы измерения НЧ шума с помощью разработанной установки, из которых произведена оценка ошибки измерения и оценка СПМ НЧ шумов, измеряемого транзистора.

Topic of the final qualification work: "Development of a low-noise amplifier for determining low-frequency sources of noise in a microwave bipolar transistor." This work is aimed at developing a circuit of a measuring setup for isolating low-frequency noise sources of a microwave bipolar transistor with a heterojunction. Various methods for measuring low-frequency noise were considered. On the basis of one of the methods, a scheme of the measuring setup was developed. For this setup, two LNAs were developed, their sensitivity was evaluated, and low-frequency noise measurements were modeled using the developed setup, from which the measurement error was estimated and the PSD of low-frequency noise of the measured transistor was estimated.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 5 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика