Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Тема выпускной квалификационной работы: «Разработка малошумящего усилителя для определения низкочастотных источников шума СВЧ- биполярного транзистора». Данная работа направлена на разработку схемы измерительной установки для выделения НЧ источников шума СВЧ биполярного транзистора с гетеропереходом. Были рассмотрены разные методы измерения НЧ шумов. На основе одного из методов была разработана схема измерительной установки. Для этой установки были разработаны два МШУ, произведена оценка их чувствительности, а также смоделированы измерения НЧ шума с помощью разработанной установки, из которых произведена оценка ошибки измерения и оценка СПМ НЧ шумов, измеряемого транзистора.
Topic of the final qualification work: "Development of a low-noise amplifier for determining low-frequency sources of noise in a microwave bipolar transistor." This work is aimed at developing a circuit of a measuring setup for isolating low-frequency noise sources of a microwave bipolar transistor with a heterojunction. Various methods for measuring low-frequency noise were considered. On the basis of one of the methods, a scheme of the measuring setup was developed. For this setup, two LNAs were developed, their sensitivity was evaluated, and low-frequency noise measurements were modeled using the developed setup, from which the measurement error was estimated and the PSD of low-frequency noise of the measured transistor was estimated.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- СОДЕРЖАНИЕ
- ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
- ВВЕДЕНИЕ
- 1. Низкочастотные шумы биполярного транзистора с гетеропереходом
- 1.1. Описание шумов
- 1.2. Низкочастотные шум в полупроводниках
- 1.3. Кремний-германиевые биполярные транзисторы с гетеропереходом
- 1.4. Преимущество SiGe HBT над Si БТ
- 1.5. ФШ в SiGe БГТ
- 1.6. Шумовая модель SiGe БГТ
- 1.6.1. Шумовая модель БТ Франка Невилла Робинсона
- 1.6.2. Шумовая модель БГТ
- 1.6.3. Гибридная π – модель анализа НЧ шумов
- 1.6.4. SPICE модель
- 1.7. Методы измерения токовых НЧ шумов
- 1.8. Методы выделения источников НЧ шума
- 1.9. Цели и задачи работы
- 2. Обоснование и разработка структурной схемы измерителя НЧ источников шума
- 2.1. Измерение приведенных шумов транзистора BFP843F
- 2.1.1. Измерение приведенных шумов на базе транзистора BFP843F
- 2.1.2. Измерение приведенных шумов на коллекторе транзистора BFP843F
- 2.1. Измерение приведенных шумов транзистора BFP843F
- 3. Моделирование структурной схемы измерительной установки.
- 3.1. Выбор малошумящих усилителей установки.
- 3.1.1. Моделирование МШУ для коллекторной цепи.
- 3.1.2. Моделирование МШУ для базовой цепи
- 3.2. Разработка усилителя схемы измерительной установки
- 3.1. Выбор малошумящих усилителей установки.
- 4. Моделирование измерения НЧ шума БГТ с помощью разработанной установки
- 4.1. Измерение НЧ шума БГТ в базовой цепи
- 4.2. Измерение НЧ шума БГТ в коллекторной цепи
- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ:
- ПРИЛОЖЕНИЕ А
- ПРИЛОЖЕНИЕ Б
Usage statistics
Access count: 4
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |