Детальная информация
Название | Эмиссия терагерцового излучения в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников» |
---|---|
Авторы | Харин Никита Юрьевич |
Научный руководитель | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2022 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | Полупроводниковые структуры; Излучения; Фотолюминесценция; туннельно-связанные квантовые ямы; криогенные температуры; tunnel-coupled quantum wells; cryogenuc temperatures |
УДК | 537.311.322; 628.9.037 |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Магистратура |
Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-364 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\20638 |
Дата создания записи | 03.04.2023 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена изучению терагерцового излучение в полупроводниковых наногетероструктрах. Объектом исследования выступают образцы с набором из пар туннельно-связанных ям GaAs/AlGaAs. Задачи, которые решаются в ходе исследования.Разработка эффективного дизайна структуры с туннельно-связанными квантовыми ямами для генерации в ТГц диапазоне в рамках решения задачи о максимизации матричного элемента оптического перехода. Характеризация выращенных структур с помощью измерения спектров фотолюминесценции в ближнем ИК диапазоне. Исследования проводились как при разных уровнях оптической накачки, так и при разных температурах. Регистрация интегрального сигнала ТГц фотолюминесценции. Работа проведена в СПбПУ в лаборатории «Оптика неравновесных электронов», где проводились эксперименты по исследованию люминесценции при различных температурах с использованием решёточного монохроматора Horiba Jobin Yvon FHR-640. Экспериментальные исследования спектров ТГц фотолюминесценции при криогенных температурах проводились с помощью вакуумного фурье-спектрометра Bruker Vertex 80v. Были проанализированы особенности спектров фотолюминесценции, которые хорошо согласуются с теоретическим расчетами энергий оптических переходов носителей заряда в структуре.
This work is devoted to the study of terahertz radiation in semiconductor nanoheterostructures. The object of study is samples with a set of pairs of tunnel-coupled quantum wells GaAs/AlGaAs. The research set the following goals:Development of an efficient design of a structure with tunnel-coupled quantum wells for generation in the THz range in the framework of solving the problem of maximizing the matrix element of an optical transition. Characterization of the grown structures by measuring photoluminescence spectra in the near-IR range. Studies both at different levels of optical pumping and at different temperatures. Registration of the integrated THz photoluminescence signal. The work was carried out at St. Petersburg Polytechnic University in the laboratory "Optics of nonequilibrium electrons", where experiments were carried out to study luminescence at different temperatures using a Horiba Jobin Yvon FHR-640 grating monochromator. Experimental studies of the THz photoluminescence spectra at cryogenic temperatures were carried out using. vacuum Fourier spectrometer Bruker Vertex. The features of the photoluminescence spectra were analyzed, which are in good agreement with theoretical calculations of the energies of optical transitions of charge carriers in the structure.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 0