Details

Title Эмиссия терагерцового излучения в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Creators Харин Никита Юрьевич
Scientific adviser Фирсов Дмитрий Анатольевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2022
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects Полупроводниковые структуры; Излучения; Фотолюминесценция; туннельно-связанные квантовые ямы; криогенные температуры; tunnel-coupled quantum wells; cryogenuc temperatures
UDC 537.311.322; 628.9.037
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 16.04.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-364
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\20638
Record create date 4/3/2023

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа посвящена изучению терагерцового излучение в полупроводниковых наногетероструктрах. Объектом исследования выступают образцы с набором из пар туннельно-связанных ям GaAs/AlGaAs. Задачи, которые решаются в ходе исследования.Разработка эффективного дизайна структуры с туннельно-связанными квантовыми ямами для генерации в ТГц диапазоне в рамках решения задачи о максимизации матричного элемента оптического перехода. Характеризация выращенных структур с помощью измерения спектров фотолюминесценции в ближнем ИК диапазоне. Исследования проводились как при разных уровнях оптической накачки, так и при разных температурах. Регистрация интегрального сигнала ТГц фотолюминесценции. Работа проведена в СПбПУ в лаборатории «Оптика неравновесных электронов», где проводились эксперименты по исследованию люминесценции при различных температурах с использованием решёточного монохроматора Horiba Jobin Yvon FHR-640. Экспериментальные исследования спектров ТГц фотолюминесценции при криогенных температурах проводились с помощью вакуумного фурье-спектрометра Bruker Vertex 80v. Были проанализированы особенности спектров фотолюминесценции, которые хорошо согласуются с теоретическим расчетами энергий оптических переходов носителей заряда в структуре.

This work is devoted to the study of terahertz radiation in semiconductor nanoheterostructures. The object of study is samples with a set of pairs of tunnel-coupled quantum wells GaAs/AlGaAs. The research set the following goals:Development of an efficient design of a structure with tunnel-coupled quantum wells for generation in the THz range in the framework of solving the problem of maximizing the matrix element of an optical transition. Characterization of the grown structures by measuring photoluminescence spectra in the near-IR range. Studies both at different levels of optical pumping and at different temperatures. Registration of the integrated THz photoluminescence signal. The work was carried out at St. Petersburg Polytechnic University in the laboratory "Optics of nonequilibrium electrons", where experiments were carried out to study luminescence at different temperatures using a Horiba Jobin Yvon FHR-640 grating monochromator. Experimental studies of the THz photoluminescence spectra at cryogenic temperatures were carried out using. vacuum Fourier spectrometer Bruker Vertex. The features of the photoluminescence spectra were analyzed, which are in good agreement with theoretical calculations of the energies of optical transitions of charge carriers in the structure.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 13 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics