Объект исследования  – Эмиссионно активные наноструктуры, выращенные на поверхности кремния. Цель работы  –  Исследование эмиссионно активных наноструктур методами туннельной микроскопии и туннельной спектроскопии. Исследования проводились на сканирующем туннельном микроскопе СММ 2000 ВАК, размещенном в вакуумной камере. Данное оборудование позволяет, помимо получения профиля поверхности исследуемых объектов получать данные о локальной электронной структуре. Получаемая таким методом информация позволяет прояснить особенности эмиссионных характеристик изучаемых объектов.

The object of the study is an emissivity active nanostructures grown on a silicon surface. The aim of the work is investigation of emission-active nanostructures by tunneling microscopy and tunneling spectroscopy. The studies were carried out on a scanning tunneling microscope СММ 2000 ВАК, placed in a vacuum chamber. This equipment allows, in addition to obtaining the surface profile of the studied objects, to obtain data on the local electronic structure. The information obtained by this method makes it possible to clarify the features of the emission characteristics of the studied objects.