Details

Объект исследования – полупроводниковые нитевидные нанокристаллы (ННК) на основе соединения InAs. Цель работы – Исследование влияния пассивации слоем InP и внедрения азота на оптические свойства ННК InAs. Полупроводниковые ННК InAs имеют большие перспективы в качестве платформы для широко перестраиваемых эффективных электронных устройств, работающих в инфракрасном диапазоне спектра. Благодаря малым размерам и малой площади контакта с подложкой ННК обладают значительными преимуществами по сравнению с тонкими пленками, квантовыми ямами и объемными материалами. Пассивация поверхности более широкозонным полупроводником улучшает оптические свойства, убирая влияние поверхностных состояний, которые оказывают значительное влияне вследствие большого соотношения площади к объёму ННК. Механические напряжения структуры ядро / оболочка, вызванные несоответствием решёток, позволяет управлять шириной запрещённой зоны. Кроме того, внедрение малой концентрации азота в структуру объёмного InAs оказывает влияние на зонную структуру, однако подобное влияние на оптические свойства ННК твердого раствора InNAs крайне слабо изучено. В результате исследования были получены спектры фотолюминесценции (ФЛ), имеющие 2 пика структуры сфалерит и политипа с преобладанием гексагональной фазы. Пассивация успешно устраняет поверхностные состояния и оказывает деформации сжатия на сердцевину ННК, что приводит к увеличению значения запрещенной зоны. Спектры ФЛ от массива ННК InNAs значительно смещены в область низких энергий относительно чистых ННК InAs, что говорит о встраивании азота в решетку ННК и его влиянии на зонную структуру. Проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях Google Scholar.

The subject of the graduate qualification work is semiconductor nanowires based on the A3B5 InAs. The given work is devoted to study of the effect of InP passivation and nitrogen incorporation on the optical properties of InAs nanowires. InAs semiconductor nanowires have great prospects as a platform for widely tunable efficient electronic devices operating in the infrared spectrum. Due to their small size and small contact area with the substrate nanowires have significant advantages over thin films, quantum wells, and bulk materials. Passivation of the surface by a broader-gap semiconductor improves optical properties by removing the influence of surface states, which have a significant impact due to the large area to volume ratio of nanowires. The mechanical strain of the core / shell structure caused by the lattice mismatch control the bandgap width. In addition, it is known that the introduction of a small concentration of nitrogen into the bulk InAs structure affects the band structure, but such an effect on the optical properties of the nanowires solid solution InNAs is extremely poorly studied. As a result of the study photoluminescence (PL) spectra were obtained, which consist of 2 peaks zinc blende structure and polytype with predominance of hexagonal phase. Passivation successfully removes the surface states and produces a compression strain on the nanowires core, which leads to an increase in the value of the band gap. Also, the PL spectra of InNAs were obtained. Pl peaks are significantly shifted to the low energy region relative to pure InAs nanowires, which indicate the incorporation of nitrogen into the InAs lattice and its influence on the band structure. The information was searched in the global computer networks Google Scholar.