Кузнецова, Яна Андреевна. Рекомбинационное излучение в гетероэпитаксиальных квантоворазмерных структурах с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности GaAs (311)В: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников» = Recombination Radiation in Heteroepitaxial Quantum Size Structures with InAs Quantum Dots Grown on a GaAs (311)B Surface / Я. А. Кузнецова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт электроники и телекоммуникаций; научный руководитель И. С. Мухин; научный руководитель Б. Х. Байрамов. — Санкт-Петербург, 2023. — 1 файл (1,7 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2023/vr/vr23-5805.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-5805. — Текст: электронный