Детальная информация

Объект исследования — гетероструктуры эмиттеров УФ–излучения с монослойными множественными квантовыми ямами N × {GaNm/AlNn}. Цель работы — повышение выходной мощности гетероструктур эмиттеров УФ–излучения с монослойными множественными квантовыми ямами N ×{GaNm/AlNn} засчёт достижения оптимальных параметров (толщины барьерных слоёв, количества квантовых ям в активной (светоизлучающей области), толщины активной области). В работе проводится теоретический расчёт оптимальных параметров гетероструктур эмиттеров УФ–излучения с монослойными множественными квантовыми ямами N × {GaNm/AlNn}. Для этого была выведена формула оптического коэффициента поглощения монослойных множественных квантовых ям, расчитан коэффициент оптического поглощения монослойных множественных квантовых ям, проведён теоретический расчёт диффузионной длины электронов в барьерных слоях AlN, применено специализированное программно - математическое обеспечение CASINO v.2.5.1.0 была оценена толщина активной (светоизлучающей) области, обеспеивающая оптимальное поглощение электронного пучка с энергией до 15 кэВ. Результаты работы представлены с использованием мультимедийных средств.

The subject of the graduate qualification work is heterostructures of UV–emitters with monolayer–scale GaN/ALN multiple quantum wells for high power e-beam pumped. The given work is devoted to to increase the output power of heterostructures of UV–emitters with monolayer–scale GaN/ALN multiple quantum wells by achieving optimal parameters (thickness of barrier layers AlN, number of quantum wells in the active (light-emitting region), thickness of the active region). The graduate qualification work provides a theoretical calculation of optimal parameters of heterostructures of UV–emitters with monolayer–scaleGaN/ALN multiple quantum wells. For this purpose, the formula of the optical absorption coefficient of monolayer multiple quantum wells was derived, the optical absorption coefficient of monolayer multiple quantum wells was calculated, the theoretical calculation of the diffusion length of electrons in barrier layers AlN, was carried out, with specialized software and mathematical software CASINO v.2.5.1.0 the thickness of the active (lightemitting) region was estimated to ensure optimal absorption of an electron beam with an energy of up to 15 keV. The results of the graduate qualification work are presented using multimedia tools.