Данная работа посвящена созданию методики исследования динамики разогрева активной области мощных полупроводниковых лазеров со сверхширокой апертурой на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs с временной зависимостью, в частности изучение движения длинноволновой границы спектра генерации. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Экспериментальное исследование излучательных характеристик (оптические сигналы и спектры излучения) полупроводниковых лазеров со сверхширокой апертурой, работающих в импульсном режиме генерации. 2. Анализ полученных данных и построение временной зависимости разогрева активной области исследуемых образцов. В ходе данной работы проведен комплекс измерений излучательных характеристик экспериментальных образцов со сверхширокой апертурой. Обработка всех данных проводилась в программе OriginPro 2018. Анализ экспериментальных данных выявил ряд особенностей построения необходимых зависимостей, что позволило лучше разобраться в новой методике исследования. В результате полученной итоговой зависимости разогрева активной области лазеров были выявлены временные промежутки особенностей работы излучателей, которые согласуют между собой особенности импульсов оптических сигналов и областей спектра генерации. Итогом работы является весь экспериментальный процесс и анализ полученных данных, как целостная методика анализа работы мощных полупроводниковых лазеров, что является необходимым фактором в продвижении исследовательской деятельности и итоговом техническом прогрессе полупроводниковой индустрии.

The given work is devoted to creation of a research methodology for studying the dynamics of heating of the active region of high–power semiconductor lasers with an ultra–wide aperture based on a time–dependent AlGaAs/GaAs heterojunction, studying the motion of the long–wavelength edge of the generation spectrum. Tasks that were solved during the study: 1. Experimental study of the radiative characteristics (optical signals and emission spectra) of ultrawide aperture semiconductor lasers operating in the pulsed generation mode. 2. Analysis of the data obtained and formation of the time dependence of the heating of the active region of the samples under study. In the course of this work, a complex of measurements of the radiative characteristics of experimental samples with an ultrawide aperture was carried out. All data were processed using the OriginPro 2018 program. The analysis of experimental data revealed a few features of constructing the necessary dependencies, which made it possible to better understand the new research methodology. As a result of the resulting dependence of the heating of the active region of lasers, the time intervals of the features of the operation of the emitters were revealed, which match the features of the pulses of optical signals and the regions of the generation spectrum. The result of the work is the entire experimental process and analysis of the data obtained, as a holistic method for analyzing the operation of high-power semiconductor lasers, which is a necessary factor in promoting research activities and the final technical progress of the semiconductor industry.

• ВВЕДЕНИЕ
• ГЛАВА 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
  • 1.1. Излучательная рекомбинация
  • 1.2. Основы устройства инжекционного излучателя.
  • 1.3. Мощные полупроводниковые лазеры
  • 1.4. Эффекты температурных зависимостей лазерных параметров
• ГЛАВА 2. Исследование разогрева и излучательных характеристик полупроводниковых лазеров со сверхширокой апертурой в импульсном режиме генерации
  • 2.1. Экспериментальные образцы
  • 2.2. Экспериментальная установка и методика измерений
  • 2.3. Анализ экспериментальных данных
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ