В настоящей работе было произведено теоретическое исследование кинетики спектра донорно-акцепторной рекомбинации с учетом электростатических флуктуаций в слаболегированных компенсированных полупроводниках при импульсной накачке светом. В результате исследований были получены аналитические выражения для зависимости спектра донорно-акцепторной рекомбинации от времени, а также зависимости влияния концентрации на положение энергетического максимума спектра. Для численного интегрирования полученных аналитических выражений были написаны программы на языках python и julia. На основе проведенных вычислений были построены соответствующие графики. Из анализа построенных графиков и сравнения их с опубликованными экспериментальными данными, показана возможность применения данной теории для различных полупроводниковых материалов.

In this paper, a theoretical study of the kinetics of the donor-acceptor recombination spectrum was carried out taking into account electrostatic fluctuations in weakly alloyed compensated semiconductors under pulsed light pumping. As a result of the research, analytical expressions were obtained for the dependence of the donor-acceptor recombination spectrum on time, as well as the dependence of the concentration effect on the position of the energy maximum of the spectrum. Programs in python and julia were written for numerical integration of the obtained analytical expressions. On the basis of the calculations carried out, the corresponding graphs were constructed. From the analysis of the constructed graphs and their comparison with the published experimental data, the possibility of applying this theory to various semiconductor materials is shown.