Details

Объект исследования – Малошумящий усилитель на основе GaAs Цель работы – разработка малошумящего усилителя на основе GaAs с минимальным коэффициентом шума Анализ современных разработок в области малошумящих усилителей (МШУ) на базе арсенида галлия (GaAs) выявил ряд ключевых факторов, влияющих на выбор топологии и параметров для проектирования МШУ. Определено предпочтение балансных схем для приложений, требующих высоких значений коэффициента усиления в широком диапазоне частот. Тенденция к применению распределенных усилителей выявлена в сфере усилителей мощности, где важен высокий выходной уровень мощности. Схема МШУ с отрицательной обратной связью оценены как баланс между усилением и уровнем шума, что делает их привлекательными для беспроводных приложений. Определены ключевые величины параметров, такие как минимизация коэффициента шума при сохранении высокого усиления, как приоритетные при проектировании. Разработаны схемы балансного и многокаскадного усилителей, было произведено сравнение их характеристик в рабочей полосе частот. Были составлены топологии усилителей и оценено паразитное влияние микрополосковых линий, соединяющих элементы усилителя.

The object of research – Low-Noise Amplifier based on GaAs. The purpose of the study – development of a low-noise amplifier based on GaAs with a minimal noise figure. Analysis of modern developments in the field of low-noise amplifiers (LNAs) based on gallium arsenide (GaAs) has revealed several key factors that influence the choice of topology and parameters for LNA design. A preference for balanced schemes has been identified for applications that require high gain values across a wide frequency range. The trend towards the use of distributed amplifiers has been observed in the field of power amplifiers, where a high output power level is important. LNAs with negative feedback have been assessed as a balance between gain and noise level, making them attractive for wireless applications. Key parameter magnitudes, such as minimizing the noise figure while maintaining high gain, have been identified as priorities in the design process. Schemes of balanced and multi-stage amplifiers have been developed; their characteristics were compared within the working frequency band. The topologies of the amplifiers were compiled, and the parasitic effects of the microstrip lines connecting the amplifier elements were assessed.