Details

Title: Широкозонные оксидные полупроводники р-типа для изделий оптоэлектроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника»
Creators: Баканова Мария Дмитриевна
Scientific adviser: Паневин Вадим Юрьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2024
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: оксид никеля; отжиг; реактивное магнетронное осаждение; электрические и оптические характеристики; nickel oxide; annealing; reactive magnetron deposition; electrical and optical characteristics
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2024/vr/vr24-6106
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Additionally: New arrival
Record key: ru\spstu\vkr\30717

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объект исследования – это оксид никеля. Цель -  отработать режимы нанесения оксида никеля и создания омических контактов к ним. Были отработаны режимы нанесения пленок p-NiO с разной степенью легирования, изучены их структурные, оптические и электрические свойства в зависимости от параметров нанесения и постобработки (отжига и изготовления контактов); отработан режим нанесения оксида индия-олова (ITO), сформированы омический контакт ITO/NiO, прозрачный в видимом диапазоне излучения, и измерено его контактное сопротивление. Графики зависимостей были оформлены с применением информационных технологий.

The object of the study is nickel oxide. The goal is to work out the modes of applying nickel oxide and creating ohmic contacts to them. The modes of application of p-NiO films with different degrees of doping were worked out, their structural, optical and electrical properties were studied depending on the parameters of application and post-treatment (annealing and manufacturing of contacts); the mode of application of indium tin oxide (ITO) was worked out, an ITO/NiO ohmic contact was formed, transparent in the visible radiation range, and its contact resistance has been measured. Dependency graphs were designed using information technology.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1 Обзор литературы
    • 1.1 Тонкие плёнки полупроводников на основе NiO
    • 1.2 Методы получения тонких плёнок оксидов переходных металлов
    • 1.3 Особенности плёнок, полученных методом реактивного магнетронного осаждения
      • /
      • /
  • 2 Постановка задачи
  • 3 Методика эксперимента
    • 3.1 Установка реактивного магнетронного напыления
    • 3.2 Процесс
    • 3.3 Измерения
  • 4 Экспериментальные результаты
    • 4.1 Отработка режимов нанесения NiO
    • 4.2 Модификация свойств плёнки с помощью отжига
    • 4.3 Электрические параметры
    • 4.4 Оптические характеристики
    • 4.5 Создание контактов ITO
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Usage statistics

stat Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics