В результате исследования проявлений намагниченности в гистерезисе намагничивания в сильнолегированном компенсированном n-Ge был проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях. Была использована прикладная программа OriginLab Pro для анализа данных полученных методом электронного парамагнитного резонанса. Определен характер изменения магнитосопротивления от прикладываемого поля. Подтверждено наличие намагниченности в образце. Результаты согласуются с предыдущими ЭПР исследованиями компенсированного Ge:As.

As part of the research, magnetization measurements were performed using the magnetization hysteresis technique on highly doped, compensated n-Ge samples. Data obtained using the electron paramagnetic resonance (EPR) method were analyzed using OriginLab Pro software. The nature of magnetoresistance change with respect to applied field was determined, and the presence of magnetization in the sample was confirmed. The findings are consistent with previous studies.