Объект исследования – тонкие (толщина 7–80 слоев) чешуйки 2H αIn2Se3, полученные методом микромеханического отслаивания. Цель работы – нахождение методики для оценки толщины α-In2Se3 с помощью спектроскопии КРС, исследование природы ФЛ объёмного α-In2Se3. Описаны результаты исследования колебательных свойств слоистых кристаллов α-In2Se3 в зависимости от количества слоёв кристалла. Совместный анализ данных атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) вместе с теоретико-групповым анализом мод, относящихся к разным симметриям колебаний, позволил установить зависимости изменения параметров спектральных линий в областях сверхнизких (10–50 см^-1) и высоких частот (50–300 см^-1). Впервые установлено, что для оценки толщины α-In2Se3 в диапазоне от семи до нескольких десятков слоёв можно использовать частоту линии А1(3) (ω ~ 200 см^-1) спектра КРС. Исследована температурная зависимость спектров фотолюминесценции (ФЛ). Проанализированы зависимости энергии и интенсивности полос A и B от температуры. Оценены значения энергии активации температурного гашения ФЛ. Выдвинуты предположения о связи полосы A c излучением свободных экситонов, а полосы B – c излучательной рекомбинацией на собственных катионных вакансиях.

The object of study is thin (thickess from 7 to 80 layers) 2H α-In2Se3 flakes obtained by micromechanical exfoliation. The purpose of the work is to find a technique for estimating the thickness of α-In2Se3 using Raman spectroscopy, and to study the nature of PL of bulk α-In2Se3. The results of a study of the vibrational properties of layered α-In2Se3 crystals depending on the number of crystal layers are described. A joint analysis of atomic force microscopy and Raman spectroscopy data, together with group theoretical analysis of modes related to different symmetries of vibrations, helped to establish the dependence of the spectral lines parameters in the ultra-low  (10–50 cm^-1) and high frequencies (50–300 cm^-1) spectral regions on the number of layers. For the first time, it was established that the A1(3) line (ω ~ 200 cm^-1) can be used to estimate the thickness of α-In2Se3 in the range from seven to several tens of monolayers. The temperature dependence of the photoluminescence spectra was studied. The dependences of the energy and intensity of bands A and B on temperature are analyzed. The activation energies for thermal quenching of PL were estimated. Assumptions have been made about the connection of band A with the emission of free excitons, and band B with radiative recombination at intrinsic cation vacancies.