Детальная информация

Исследованы свойства тонких пленок оксида никеля и их изменение при термическом отжиге. Показано положительное влияние термического отжига на кристаллическую структуру полупроводниковых тонких пленок оксида никеля, полученных методом магнетронного распыления. Исследовано влияние включения золотых наночастиц на тонкую пленку NiO, и влияние их на способность к газовой чувствительности оксида никеля. Исследование тонких пленок оксида никеля на возможность использования в качестве активного слоя у полупроводникового газового датчика резистивного типа для детектирования сероводорода показало положительные результаты. В работе представлен технологический маршрут изготовления МЭМС газового датчика с полупроводниковым активным слоем. Оксид никеля показал чувствительность поверхностного сопротивления к присутствию паров сероводорода в концентрациях от 1 до 100 ppm в потоке, при рабочих температурах активного слоя датчика в 170 – 205 С°.

The properties of thin films of nickel oxide and their changes during thermal annealing were studied. The positive effect of thermal combustion on the crystal structure of semiconductor thin films of nickel oxide caused by magnetron sputtering is shown. The effect of the inclusion of gold nanoparticles on a thin film of NiO, and their influence on the gas sensitivity ability of nickel oxide, was studied. A study of the possibility of using thin films of nickel oxide as an active layer in a semiconductor resistive gas sensor for detecting hydrogen sulfide showed positive results. The paper presents a technological route for manufacturing a MEMS gas sensor with a semiconductor active layer. Nickel oxide showed sensitivity to hydrogen sulfide in concentrations from 1 to 100 ppm, at an operating temperature of the active layer sensor of 170 – 205 C°.