Details
Title | Применение оксидных полупроводников в МЭМС датчике сероводорода: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_08 «Физика медицинских технологий» |
---|---|
Creators | Лаздин Илья Александрович |
Scientific adviser | Карасев Платон Александрович; Кондратьева А. С. |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2024 |
Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Subjects | микроэлектромеханические системы; газовые датчики; металооксидные пленки; оксид никеля; золотые наночастицы; тонкие пленки; магнетронное распыление; полупроводниковые сенсоры; microelectromechanical systems; gas sensors; metal oxide films; nickel oxide; gold nanoparticles; thin films; magnetron spraying; semiconductor sensors |
Document type | Master graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Master |
Speciality code (FGOS) | 16.04.01 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2024/vr/vr24-6289 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Additionally | New arrival |
Record key | ru\spstu\vkr\31571 |
Record create date | 8/6/2024 |
Allowed Actions
–
Action 'Download' will be available if administrator prepare required files
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Исследованы свойства тонких пленок оксида никеля и их изменение при термическом отжиге. Показано положительное влияние термического отжига на кристаллическую структуру полупроводниковых тонких пленок оксида никеля, полученных методом магнетронного распыления. Исследовано влияние включения золотых наночастиц на тонкую пленку NiO, и влияние их на способность к газовой чувствительности оксида никеля. Исследование тонких пленок оксида никеля на возможность использования в качестве активного слоя у полупроводникового газового датчика резистивного типа для детектирования сероводорода показало положительные результаты. В работе представлен технологический маршрут изготовления МЭМС газового датчика с полупроводниковым активным слоем. Оксид никеля показал чувствительность поверхностного сопротивления к присутствию паров сероводорода в концентрациях от 1 до 100 ppm в потоке, при рабочих температурах активного слоя датчика в 170 – 205 С°.
The properties of thin films of nickel oxide and their changes during thermal annealing were studied. The positive effect of thermal combustion on the crystal structure of semiconductor thin films of nickel oxide caused by magnetron sputtering is shown. The effect of the inclusion of gold nanoparticles on a thin film of NiO, and their influence on the gas sensitivity ability of nickel oxide, was studied. A study of the possibility of using thin films of nickel oxide as an active layer in a semiconductor resistive gas sensor for detecting hydrogen sulfide showed positive results. The paper presents a technological route for manufacturing a MEMS gas sensor with a semiconductor active layer. Nickel oxide showed sensitivity to hydrogen sulfide in concentrations from 1 to 100 ppm, at an operating temperature of the active layer sensor of 170 – 205 C°.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 0
Last 30 days: 0