Детальная информация
Название | Монолитный интегральный СВЧ аттенюатор на основе GaAs pHEMT-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы» |
---|---|
Авторы | Кожевников Антон Олегович |
Научный руководитель | Никитин Александр Борисович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2025 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | монолитные интегральные схемы (МИС) ; цифровой аттенюатор ; GaAs pHEMT технология ; СВЧ ; управление амплитудой сигнала ; microwave monolithic integrated circuit (MMIC) ; digital step attenuator ; GaAs pHEMT technology ; microwave ; signal amplitude control |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 11.03.01 |
Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-1388 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать) |
Дополнительно | Новинка |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\36388 |
Дата создания записи | 08.08.2025 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Целью работы является разработка топологии монолитной интегральной схемы цифрового шестиразрядного аттенюатора на основе GaAs pHEMT-технологии, диапазона частот 7…11 ГГц. В ходе выполнения работы были рассмотрены принципы управления амплитудой СВЧ-сигналов и проанализированы решения, обеспечивающие заданные ступени ослабления. Было произведено моделирование и анализ различный схем разрядов с целью нахождения наилучшего варианта топологии монолитного интегрального аттенюатора, обладающего набором требуемых характеристик: частотный диапазон, ошибка установки ослабления, вносимые потери, изменение фазы в полосе частот, КСВН. Разработанная МИС цифрового аттенюатора демонстрирует следующие параметры: рабочий диапазон частот 7…11 ГГц, уровень вносимых потерь 3,45 дБ, максимальным изменением фазы 13,75°, точка компрессии по уровню 0,1 дБ равна 24 дБм, ошибка выставления ослабления порядка 1,2 дБ и размеры кристалла – 2000×960 мкм. В работе использовались открытые образовательные ресурсы. Для моделирования схем применено программное обеспечение AWR Design Environment.
The goal of this work is to develop the topology of a monolithic integrated circuit of a digital six-bit attenuator based on GaAs pHEMT technology, in the frequency range 7 ... 11 GHz. In the course of the work, the principles of controlling the amplitude of microwave signals were considered and solutions that provide attenuation steps were analyzed. Various cells circuits were modeled and analyzed in order to find the best topology for a monolithic integrated attenuator with a set of required characteristics: frequency range, attenuation error, insertion loss, phase shift in the frequency band, VSWR. The developed MMIC of the digital attenuator has the following parameters: an operating frequency range of 7...11 GHz, an insertion loss level of 3.45 dB, a maximum phase shift of 13.75°, a compression point of 0.1 dB is 24 dBm, an attenuation error of the order of 1.2 dB and a crystal size of 2000×960 um. The work used open educational resources. AWR Design Environment software is used for circuit modeling.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0