Details

Title Монолитный интегральный СВЧ аттенюатор на основе GaAs pHEMT-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы»
Creators Кожевников Антон Олегович
Scientific adviser Никитин Александр Борисович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2025
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects монолитные интегральные схемы (МИС) ; цифровой аттенюатор ; GaAs pHEMT технология ; СВЧ ; управление амплитудой сигнала ; microwave monolithic integrated circuit (MMIC) ; digital step attenuator ; GaAs pHEMT technology ; microwave ; signal amplitude control
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.01
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-1388
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)
Additionally New arrival
Record key ru\spstu\vkr\36388
Record create date 8/8/2025

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Целью работы является разработка топологии монолитной интегральной схемы цифрового шестиразрядного аттенюатора на основе GaAs pHEMT-технологии, диапазона частот 7…11 ГГц. В ходе выполнения работы были рассмотрены принципы управления амплитудой СВЧ-сигналов и проанализированы решения, обеспечивающие заданные ступени ослабления. Было произведено моделирование и анализ различный схем разрядов с целью нахождения наилучшего варианта топологии монолитного интегрального аттенюатора, обладающего набором требуемых характеристик: частотный диапазон, ошибка установки ослабления, вносимые потери, изменение фазы в полосе частот, КСВН. Разработанная МИС цифрового аттенюатора демонстрирует следующие параметры: рабочий диапазон частот 7…11 ГГц, уровень вносимых потерь 3,45 дБ, максимальным изменением фазы 13,75°, точка компрессии по уровню 0,1 дБ равна 24 дБм, ошибка выставления ослабления порядка 1,2 дБ и размеры кристалла – 2000×960 мкм. В работе использовались открытые образовательные ресурсы. Для моделирования схем применено программное обеспечение AWR Design Environment.

The goal of this work is to develop the topology of a monolithic integrated circuit of a digital six-bit attenuator based on GaAs pHEMT technology, in the frequency range 7 ... 11 GHz. In the course of the work, the principles of controlling the amplitude of microwave signals were considered and solutions that provide attenuation steps were analyzed. Various cells circuits were modeled and analyzed in order to find the best topology for a monolithic integrated attenuator with a set of required characteristics: frequency range, attenuation error, insertion loss, phase shift in the frequency band, VSWR. The developed MMIC of the digital attenuator has the following parameters: an operating frequency range of 7...11 GHz, an insertion loss level of 3.45 dB, a maximum phase shift of 13.75°, a compression point of 0.1 dB is 24 dBm, an attenuation error of the order of 1.2 dB and a crystal size of 2000×960 um. The work used open educational resources. AWR Design Environment software is used for circuit modeling.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print
Internet Authorized users SPbPU
Read Print
Internet Anonymous

Access count: 0 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics