Details

Данная работа посвящена исследованию влияния концентрации алюминия на пьезоэлектрические свойства CuPtB сверхрешеток твердых растворов AlGaInP2. Пьезоэлектрические свойства представляет существенный интерес для управления электронными состояниями в полупроводниковых наногетероструктарах. Для демонстрации зависимости мартенситного пере-хода и вызванного им встроенного электрического поля EPE от состава структуры использовались данные низкотемпературной фотолюминесценции, рентгеноструктурного анализа, а также энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и Кельвин-зондовой сканирующей микроскопии. Удалось установить, что повышение концентрации алюминия приводит к увеличению скорости релаксации мартенситного перехода, увеличению напряженности встроенного электрического поля EPE для твердых растворов толщиной 500 нм и уменьшению напряженности для образцов толщиной  1500 нм.

The given work is devoted to the influence of aluminum concentration on piezoelectric properties of spontaneously CuPtB ordered AlGaInP2/GaAs epi-layers. Piezoelectric properties are considerable interest in controlling electronic states in semiconductor nanostructures. The dependence of structure composition on the martensitic transition and the resulting built-in electric field EPE was demonstrated using low temperature photoluminescence, X-ray diffraction with combination of energy-dispersive X-ray spectroscopy and scanning Kelvin probe microscopy. It was established that the addition of aluminum leads to an increase in the relaxation rate of the martensitic transition, an increase in the intensity of the built-in electric field for solid solutions with a thickness of 500 nm, and a decrease in intensity for samples with a thickness of 1500 nm.