Details

Работа посвящена исследованию пассивного преобразователя частоты и разработке принципиальных схем преобразователей частоты на HEMT-транзисторах в диодном включении. Цель работы – изучить пассивные преобразователи частоты на HEMT-транзисторах. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Произведен обзор существующих схем преобразователей частоты; 2. Разработаны принципиальные схем пассивных СВЧ преобразователей частоты на HEMT-транзисторах в диодном включении (небалансная, балансная, двойная балансная, тройная балансная схемы); 3. Проведено моделирование характеристик разработанных преобразователей частоты (коэффициента передачи, развязок по портам, нелинейных и шумовых характеристик); 4. Проведены анализ полученных результатов и сравнение разработанных преобразователей частоты с существующими разработками. В результате исследования были разработаны и оптимизированы принципиальные схем пассивных СВЧ преобразователей частоты на HEMT-транзисторах в диодном включении (небалансная, балансная, двойная балансная, тройная балансная схемы), было проведено моделирование характеристик разработанных принципиальных схем преобразователей частоты. Разработанные преобразователи имеют высокую линейность по отношению к входному сигналу, работают в S-диапазоне и могут использоваться в устройствах беспроводной связи, отвечающих следующим стандартам IEEE: 802.11b, 802.11g, 802.11n и др. В процессе работы использовались материалы публикаций библиотеки «IEEE xplore» и САПР Advanced Design System.

Object of study is diode-connected HEMT passive mixer and the development of schematic diagrams of passive HEMT frequency converters. The aim is to study passive HEMT frequency converters. The following tasks were solved: 1. An overview of existing frequency converter circuits has been made; 2. Schematic diagrams of diode-connected HEMT passive frequency converters (unbalanced, balanced, double balanced, triple balanced circuits) have been developed; 3. The characteristics of the developed frequency converters (transmission coefficient, port decoupling, nonlinear and noise characteristics) have been modeled; 4. The analysis of the results obtained and the comparison of the developed frequency converters with existing developments are carried out. As a result of the study, schematic diagrams of diode-connected HEMT passive frequency converters were developed and optimized. The developed converters have high linearity with respect to the input signal and the developed frequency converters operate in the S band and can be used in wireless communication devices that meet the following IEEE standards: 802.11b, 802.11g, 802.11n, etc. In the course of the work, materials of the IEEE xplore library and the CAD Advanced Design System were used.