Details

Работа посвящена исследованию структур Si(p)/C60/Au и получению зависимостей фотоэлектрических характеристик в смешанном спектральном диапазоне. Цель работы – выявление особенностей фотоэлектрических характеристик структур Si(p)/C60/Au в сильном электрическом поле при различных условиях. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Изучить научную литературу по тематике работы. 2. Получить ВАХ структур при внешнем освещении и его отсутствии. 3. Оценить фоточувствительность, провести сравнительный анализ. 4. Получить спектральную зависимость фототока для видимого диапазона. 5. Произвести аппроксимацию результатов математической моделью. 6. Получить температурную зависимость и рассчитать температурную поправку в максимальную скорость генерации носителей заряда. В результате исследования было изучено поведение фотоэлектрических характеристик в сильном электрическом поле при различных условиях, а также впервые проведена аппроксимация плотности фототока математической моделью и рассчитана температурная поправка для области после электрического формования. Полученные результаты могут иметь широкое применение при проектировании фотодиодов различного класса.

The work is devoted to the study of Si(p)/C60/Au structures and the analysis of photoelectric characteristics in a mixed spectral range. The aim is identification of the photoelectric characteristics of Si(p)/C60/Au structures under external electric field at various conditions. The following tasks were solved: 1. Study the scientific literature on the subject of the work. 2. Obtain I-V characteristics of Si(p)/C60/Au structures under illumination and in dark conditions. 3. Evaluate the photosensitivity and perform a comparative analysis. 4. Obtain the spectral dependence of photocurrent in the visible spectrum. 5. Approximate the results using a mathematical model. 6. Obtain the temperature dependence and calculate the temperature correction for the maximum charge carrier generation rate. As a result of the study, the behavior of photoelectric characteristics under strong external electric fields at various conditions was investigated. For the first time, the photocurrent density was approximated using a mathematical model, and a temperature correction factor was calculated for the post-electroforming region. The obtained results may find broad applications in the design of various classes of photodiodes.

• ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
• ВВЕДЕНИЕ
• 1 Обзор литературы
  • 1.1 Фуллерены
    • 1.1.1 Структура молекулы С60
    • 1.1.2 Электронная структура
    • 1.1.3 Электрические и оптические свойства
  • 1.2 Фуллерены в конденсированной фазе (фуллериты)
    • 1.2.1 Особенности и отличия от фуллеренов
    • 1.2.2 Фотопроводимость пленок
    • 1.2.3 Влияние кислорода на проводимость
    • 1.2.4 Экситоны в фуллерите C60
  • 1.3 Методы получения пленок фуллеритов
  • 1.4 Модели описания фотопроводимости в комплексах на основе фуллеритов
  • 1.5 Влияние внешнего электрического поля на фотопроводимость C60
  • 1.6 Импульсный режим и стационарный случай
  • 1.7 Эффект электроформовки в структурах на основе C60
• 2 Методика эксперимента
• 3 Экспериментальные результаты
  • 3.1 ВАХ отформованной пленки
  • 3.3 Подчинение теории ТООЗ
  • 3.4 Отношение фототока к темновому и его доля в суммарном токе
  • 3.5 Интегральная фоточувствительность
  • 3.6 Температурная зависимость
  • 3.7 Спектральная зависимость
  • 3.8 Обсуждение исследования спектральной зависимости
  • 3.9 Сравнительный анализ фоточувствительности
• 4 Аппроксимация моделью Онзагера–Брауна
  • 4.1 Описание используемой модели
  • 4.2 Параметры модели для фуллерита C60
  • 4.3 Влияние температуры на аппроксимацию
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
• ПРИЛОЖЕНИЕ А