Статистика использования

Гэ Линсяо. Фотоэлементы с радиальным p-n переходом на основе P3HT: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_03 «Интегральная электроника и наноэлектроника» = Photocells with a radial p-n junction based on P3HT / Гэ Линсяо; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт электроники и телекоммуникаций; научный руководитель Д. И. Долженко. — Санкт-Петербург, 2025. — 1 файл (2,9 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2025/vr/vr25-4847.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-4847. — Текст: электронный

stat
Период Чтение Печать Копирование Открытие Итого
Всего 0 0 0 0 0