Детальная информация
| Название | Исследование разогрева активной области мощных полупроводниковых лазеров: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника» |
|---|---|
| Авторы | Зайцев Вячеслав Алексеевич |
| Научный руководитель | Мелентьев Григорий Александрович ; Шашкин И. С. |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2025 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | полупроводниковый лазер ; гетероструктура ; квантовая яма ; показатель преломления ; волновод ; оптические потери ; фактор оптического ограничения ; разогрев активной области ; semiconductor laser ; heterostructure ; quantum well ; refractive index ; waveguide ; optical losses ; optical confinement factor ; active area heating |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-5262 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\39426 |
| Дата создания записи | 07.11.2025 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В ходе работы были изучены основные механизмы нагрева активной области полупроводникового лазера. Был проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях. Использованы прикладные программы MATLAB, Mathcad, Origin для построения зависимостей тепловыделения и изменения температуры от толщины волновода. Проведен анализ полученных зависимостей и влияния доли алюминия в различных слоях гетероструктуры.
In the course of the work, the main mechanisms of heating the active region of a semiconductor laser were studied. Information was searched in global computer networks. The application programs MATLAB, Mathcad, Origin were used to construct the dependences of heat dissipation and temperature change on the thickness of the waveguide. The analysis of the obtained dependences and the influence of the proportion of aluminum in various layers of the heterostructure is carried out.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
