Details
| Title | Исследование разогрева активной области мощных полупроводниковых лазеров: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника» |
|---|---|
| Creators | Зайцев Вячеслав Алексеевич |
| Scientific adviser | Мелентьев Григорий Александрович ; Шашкин И. С. |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2025 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | полупроводниковый лазер ; гетероструктура ; квантовая яма ; показатель преломления ; волновод ; оптические потери ; фактор оптического ограничения ; разогрев активной области ; semiconductor laser ; heterostructure ; quantum well ; refractive index ; waveguide ; optical losses ; optical confinement factor ; active area heating |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-5262 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | ru\spstu\vkr\39426 |
| Record create date | 11/7/2025 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В ходе работы были изучены основные механизмы нагрева активной области полупроводникового лазера. Был проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях. Использованы прикладные программы MATLAB, Mathcad, Origin для построения зависимостей тепловыделения и изменения температуры от толщины волновода. Проведен анализ полученных зависимостей и влияния доли алюминия в различных слоях гетероструктуры.
In the course of the work, the main mechanisms of heating the active region of a semiconductor laser were studied. Information was searched in global computer networks. The application programs MATLAB, Mathcad, Origin were used to construct the dependences of heat dissipation and temperature change on the thickness of the waveguide. The analysis of the obtained dependences and the influence of the proportion of aluminum in various layers of the heterostructure is carried out.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 0
Last 30 days: 0
