Детальная информация

Название Моделирование приинтерфейсных микроскручиваний в эпитаксиальных пленках PbZrO3: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_12 «Физика и нанотехнологии смарт-материалов»
Авторы Хлюпин Иван Владимирович
Научный руководитель Бурковский Роман Георгиевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2025
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика эпитаксия ; сегнетоэлектрики ; антисегнетоэлектрики ; тонкие плёнки ; псевдополяризация ; epitaxy ; ferroelectrics ; antiferroelectrics ; thin film ; pseudo-polarization
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-5265
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно Новинка
Ключ записи ru\spstu\vkr\39429
Дата создания записи 07.11.2025

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Цель проведённой работы заключалась в создании модельного описания эпитаксиального контакта антисегнетоэлектрических плёнок с подложкой. Модель должна помочь в исследовании эффекта подавления микроскручиваний в приинтерфейсных слоях эпитаксиальных структур. За основу модели была выбрана модель энергии Ландау с одним параметром порядка и упругими смещениями. Коэффициенты для расчёта энергии были подобраны при помощи компьютерного моделирования, подбирая их таким образом, чтобы результат оптимизации модели воспроизводил экспериментальные данные. Оптимизация модели производилась методом наискорейшего градиентного спуска с аналитически вычисленным пространственным градиентом энергии. В качестве условий эпитаксиального контакта на нижней границе моделируемой структуры задавались начальные условия, фиксируемые на всё время оптимизации. Для проверки модели был использован пакет программного обеспечения MATLAB.

The aim of the work was to create a model description of the epitaxial contact of antiferroelectric films with a substrate using one order parameter. The model should help in studying the effect of suppressing microtwists in the interface layers, which consists in domain rotations in the domain wall region that are different from bulk ones. The Landau energy model with one order parameter and elastic displacements was chosen as the basis for the model. The coefficients for calculating the energy were selected using computer simulation, selecting them in such a way that the result of model optimization would lead to experimental data. The optimization method of the model was gradient descent with an analytically calculated spatial energy gradient. Initial conditions were set as the conditions of epitaxial contact at the lower boundary of the modeled structure, fixed throughout the optimization. The MATLAB software package was used to test the model.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи
  • ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. Обзор литературы
    • 1.1 Обзор изучаемого объекта
    • 1.2. Обзор моделей
    • 1.3. Обзор методов оптимизации
  • 2. Результаты исследования
    • 2.1. Подбор метода компьютерной оптимизации модели
    • 2.2. Выбор модели эпитаксиальных тонких плёнок PbZrO3
    • 2.3. Подбор коэффициентов
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Количество обращений: 0 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика