Details

Цель проведённой работы заключалась в создании модельного описания эпитаксиального контакта антисегнетоэлектрических плёнок с подложкой. Модель должна помочь в исследовании эффекта подавления микроскручиваний в приинтерфейсных слоях эпитаксиальных структур. За основу модели была выбрана модель энергии Ландау с одним параметром порядка и упругими смещениями. Коэффициенты для расчёта энергии были подобраны при помощи компьютерного моделирования, подбирая их таким образом, чтобы результат оптимизации модели воспроизводил экспериментальные данные. Оптимизация модели производилась методом наискорейшего градиентного спуска с аналитически вычисленным пространственным градиентом энергии. В качестве условий эпитаксиального контакта на нижней границе моделируемой структуры задавались начальные условия, фиксируемые на всё время оптимизации. Для проверки модели был использован пакет программного обеспечения MATLAB.

The aim of the work was to create a model description of the epitaxial contact of antiferroelectric films with a substrate using one order parameter. The model should help in studying the effect of suppressing microtwists in the interface layers, which consists in domain rotations in the domain wall region that are different from bulk ones. The Landau energy model with one order parameter and elastic displacements was chosen as the basis for the model. The coefficients for calculating the energy were selected using computer simulation, selecting them in such a way that the result of model optimization would lead to experimental data. The optimization method of the model was gradient descent with an analytically calculated spatial energy gradient. Initial conditions were set as the conditions of epitaxial contact at the lower boundary of the modeled structure, fixed throughout the optimization. The MATLAB software package was used to test the model.

• ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
• ВВЕДЕНИЕ
• 1. Обзор литературы
  • 1.1 Обзор изучаемого объекта
  • 1.2. Обзор моделей
  • 1.3. Обзор методов оптимизации
• 2. Результаты исследования
  • 2.1. Подбор метода компьютерной оптимизации модели
  • 2.2. Выбор модели эпитаксиальных тонких плёнок PbZrO3
  • 2.3. Подбор коэффициентов
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ