Details

Цель работы: разработка методики для оценки состояния кремниевых пластин для фотоприемных устройств инфракрасного диапазона оптических телекоммуникационных систем. Задачи работы: 1. Провести обзор литературы по методам контроля качества, разновидностям дефектов и оценки свойств кремниевых пластин; 2. Выявить дефекты, причину появления которых невозможно установить с помощью существующих методик и используемой для этого; 3. Разработать методику для выявления дефекта аномальной центральной зоны; 4. Провести экспериментальные исследования по использованию рентгеновского дифрактометра для контроля параметров кремниевых пластин, в частности для выявления дефекта аномальной центральной зоны; 5. Оценить полученные результаты и сделать выводы. Работа проведена на базе Центрального Научно-Исследовательского Института «Электрон». Были проведены сравнительный анализ методов контроля качества кремниевых пластин для фотоприемников ИК-диапазона, рентгенографические измерения и компьютерное моделирование дефектов кристаллической структуры. Использовались современные диагностические подходы, включая рентгеновскую топографию.

The aim of the work is to develop a methodology for assessing the state of silicon plates for infrared photodetectors of optical telecommunication systems. Work tasks: 1. To review the literature on quality control methods, types of defects, and evaluation of the properties of silicon plates. 2. To identify defects, the cause of which cannot be determined by existing techniques and the technology used for this. 3. To develop a methodology for detecting the defects of the anomalous central zone. 4. To conduct experimental studies on the use of an X-ray diffractometer to control the parameters of silicon plates to detect a defect in the anomalous central zone. 5. Evaluate the results and draw conclusions. The work was carried out based on the Central Research Institute "Electron". A comparative analysis of quality control methods for silicon wafers for IR photodetectors, X-ray measurements, and computer modeling of crystal structure defects were carried out. Modern diagnostic approaches, including X-ray topography, were used.