Details

Объект исследования – германиевые пластины, легированные сурьмой, кремниевые пластины, легированные фосфором. Цель работы – исследование оптических свойств германия и кремния, построение спектральных зависимостей коэффициентов поглощения и преломления в диапазоне длин волн 1,5-3000 мкм, а также построение спектра пропускания германия в диапазоне длин волн до 0,3 м. В данной работе исследовались оптические свойства пластин германия с удельным сопротивлением 1,45 - 49,88 Ом·см, легированных сурьмой, толщиной 3 мм, а также пластины кремния, легированные фосфором, с удельным сопротивлением 0,2 – 10 Ом·см, толщиной 5 мм. Была использована прикладная программа Origin, с помощью которой осуществлялось построение спектральных зависимостей коэффициентов. В глобальных компьютерных сетях был произведен поиск публикаций по теме ВКР, их изучение и обобщение. В результате работы были исследованы спектральные зависимости коэффициентов поглощения, экстинкции и преломления у образцов германия    и кремния в ИК области и спектральные зависимости пропускания в СВЧ диапазоне.

The object of the study is germanium plates doped with antimony, silicon plates doped with phosphorus. The purpose of the work is to study the optical properties of germanium and silicon, to construct spectral dependences of absorption and refraction coefficients in the wavelength range of 1.5-3000 microns, as well as to construct a transmission spectrum in the wavelength range up to 0.3 m. In this work, the optical properties of germanium plates with a resistivity of 1.45 - 49.88 ohms·cm, doped with antimony, 3 mm thick, as well as silicon plates doped with phosphorus, with a resistivity of 0.2 – 10 ohms· cm, 5 mm thick, were studied. The Origin application program was used, which was used to construct spectral dependences of coefficients. A search was made in global computer networks for publications on the topic of the final qualifying work, their study and generalization. As a result of the work, the spectral dependences of the absorption, extinction, and refraction coefficients of germanium and silicon samples in the IR region and the spectral dependences of transmission in the microwave range were investigated.