Детальная информация
| Название | Влияние параметров ионной имплантации и отжига на проводимость и структурные свойства поликремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_12 «Физика и нанотехнологии смарт-материалов» = Optimization the doping process of polysilicon gates in the technology for manufacturing photosensitive matrices |
|---|---|
| Авторы | Рожков Сергей Александрович |
| Научный руководитель | Карасев Платон Александрович ; Клевцов А. И. |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2026 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | поликристаллический кремний ; ионная имплантация ; термическая диффузия ; ПЗС-матрица ; polycrystalline silicon ; ion implantation ; thermal diffusion ; CCD matrix |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-1685 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\41729 |
| Дата создания записи | 04.08.2026 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет возможно после подготовки администраторами необходимых файлов
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Была использована прикладная программа TRIM, с помощью которой подобраны параметры ионной имплантации тестовых структур ионами фосфора, измерено поверхностное сопротивление легированных образцов, проанализирована поверхность поликремния. На основе полученных результатов подтверждено преимущество ионной имплантации над термической диффузией.
The TRIM software was used to select the parameters for ion implantation of the test structures with phosphorus ions, measure the surface resistance of the doped samples, and analyze the polysilicon surface. Based on the results obtained, the superiority of ion implantation over thermal diffusion was confirmed.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
