Details

В результате выполнения работы была разработана имитационная модель ключевого усилителя мощности на драйверах 1EDN7116U и GaN-транзисторах GS61008P, построенного по топологии H-моста с трансформатором сопротивления 1:2 и двумя выходными полосовыми фильтрами Чебышева. Моделирование подтвердило достижение выходной мощности 100 Вт и подавления высших гармоник не менее 40 дБ во всём рабочем диапазоне частот 4–8 МГц, что соответствует требованиям технического задания. Разработанные решения могут быть использованы при создании отечественного передатчика для сети ионозондов Арктического и Антарктического научно-исследовательского института. В процессе выполнения работы применялись следующие информационные технологии: среда имитационного моделирования LTspice, программы расчёта фильтров MicroCap и QUCS, а также пакет Microsoft Office для оформления результатов.

As a result of the research, a simulation model of a switching power amplifier based on 1EDN7116U gate drivers and GS61008P GaN transistors was developed. The amplifier is built using an H-bridge topology with a 1:2 impedance transformer and two output Chebyshev bandpass filters. The simulation confirmed the achievement of an output power of 100 W and suppression of higher harmonics of at least 40 dB across the entire operating frequency range of 4–8 MHz, which fully meets the requirements of the technical specification. The developed solutions can be used in the creation of a domestic transmitter for the network of ionosondes operated by the Arctic and Antarctic Research Institute. The following information technologies and software tools were used during the research: the LTspice simulation environment, MicroCap and QUCS filter design software, and the Microsoft Office suite for documenting the results.