Детальная информация

Название Разработка методики контроля внутренних дефектов полупроводниковых структур на примере кремниевых фотодиодных мишеней: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники» = Development of a method for monitoring internal defects of semiconductor structures using silicon photodiode targets as an example
Авторы Спирин Матвей Валерьевич
Научный руководитель Давыдов Вадим Владимирович
Другие авторы Соколова А. А.
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2026
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика кремниевая фотодиодная мишень ; видикон ; рентгеновская дифрактометрия ; микродеформация ; оптическая дифракционная микроскопия ; неразрушающий контроль ; silicon photodiode target ; vidicon ; x-ray diffractometry ; microstrain ; optical diffraction microscopy ; nondestructive testing
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 28.03.01
Группа специальностей ФГОС 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-2572
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно Новинка
Ключ записи ru\spstu\vkr\42457
Дата создания записи 14.08.2026

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Данная работа посвящена исследованию внутренних структурных дефектов кремниевых фотодиодных мишеней видиконов, в частности, дефекта в виде «белого пятна», и разработке неразрушающей методики их контроля. В ходе исследования применялись методы высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и оптической дифракционной микроскопии. В результате работы установлено, что причиной возникновения дефекта являются механические микронапряжения, возникающие в процессе запрессовки мишени в индиевое кольцо. Выявлено, что в дефектной зоне размер областей когерентного рассеяния возрастает более чем в восемь раз, а уровень микродеформаций увеличивается вдвое по сравнению с эталонным образцом. На основе полученных данных предложена и обоснована двухэтапная неразрушающая экспресс-методика контроля качества, позволяющая локализовать деформации по площади мишени, выявлять структурный брак до установки в трубку видикона и обосновывать корректирующие технологические мероприятия на производстве.

This work is devoted to the study of internal structural defects in silicon photodiode targets of vidicons, specifically the "white spot" defect, and the development of a nondestructive testing method for their monitoring. During the research, methods of high-resolution X-ray diffractometry and optical diffraction microscopy were employed. As a result of the work, it was established that the cause of the defect is mechanical microstrains arising during the process of pressing the target into an indium ring. It was revealed that in the defective zone, the size of the coherent scattering regions increases by more than eight times, and the microstrain level doubles compared to the reference sample. Based on the obtained data, a two-stage nondestructive rapid quality control method is proposed and justified, which makes it possible to localize deformations across the target area, detect structural defects prior to installation in the vidicon tube, and justify corrective technological measures in production.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать
Интернет Анонимные пользователи
...