Details

Title Разработка методики контроля внутренних дефектов полупроводниковых структур на примере кремниевых фотодиодных мишеней: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники» = Development of a method for monitoring internal defects of semiconductor structures using silicon photodiode targets as an example
Creators Спирин Матвей Валерьевич
Scientific adviser Давыдов Вадим Владимирович
Other creators Соколова А. А.
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint Санкт-Петербург, 2026
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects кремниевая фотодиодная мишень ; видикон ; рентгеновская дифрактометрия ; микродеформация ; оптическая дифракционная микроскопия ; неразрушающий контроль ; silicon photodiode target ; vidicon ; x-ray diffractometry ; microstrain ; optical diffraction microscopy ; nondestructive testing
Document type Bachelor graduation qualification work
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 28.03.01
Speciality group (FGOS) 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-2572
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Additionally New arrival
Record key ru\spstu\vkr\42457
Record create date 8/14/2026

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа посвящена исследованию внутренних структурных дефектов кремниевых фотодиодных мишеней видиконов, в частности, дефекта в виде «белого пятна», и разработке неразрушающей методики их контроля. В ходе исследования применялись методы высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и оптической дифракционной микроскопии. В результате работы установлено, что причиной возникновения дефекта являются механические микронапряжения, возникающие в процессе запрессовки мишени в индиевое кольцо. Выявлено, что в дефектной зоне размер областей когерентного рассеяния возрастает более чем в восемь раз, а уровень микродеформаций увеличивается вдвое по сравнению с эталонным образцом. На основе полученных данных предложена и обоснована двухэтапная неразрушающая экспресс-методика контроля качества, позволяющая локализовать деформации по площади мишени, выявлять структурный брак до установки в трубку видикона и обосновывать корректирующие технологические мероприятия на производстве.

This work is devoted to the study of internal structural defects in silicon photodiode targets of vidicons, specifically the "white spot" defect, and the development of a nondestructive testing method for their monitoring. During the research, methods of high-resolution X-ray diffractometry and optical diffraction microscopy were employed. As a result of the work, it was established that the cause of the defect is mechanical microstrains arising during the process of pressing the target into an indium ring. It was revealed that in the defective zone, the size of the coherent scattering regions increases by more than eight times, and the microstrain level doubles compared to the reference sample. Based on the obtained data, a two-stage nondestructive rapid quality control method is proposed and justified, which makes it possible to localize deformations across the target area, detect structural defects prior to installation in the vidicon tube, and justify corrective technological measures in production.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read
Internet Authorized users SPbPU
Read
Internet Anonymous
...