Детальная информация

Название Оптимизация режимов ионного легирования кремния с помощью искусственного интеллекта: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_12 «Физика и нанотехнологии смарт-материалов» = Optimization of silicon ion implantation regimes using artificial intelligence
Авторы Ильин Андрей Дмитриевич
Научный руководитель Винниченко Максим Яковлевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2026
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика ионная имплантация ; термический отжиг ; кремний ; машинное обучение ; случайный лес ; цифровой двойник ; SRIM/TRIM ; ion implantation ; thermal annealing ; silicon ; machine learning ; random forest ; digital twin
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-3273
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно Новинка
Ключ записи ru\spstu\vkr\41849
Дата создания записи 04.08.2026

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет возможно после подготовки администраторами необходимых файлов

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В работе создана двухэтапная архитектура физико-информированного машинного обучения. На первом этапе алгоритм прогнозирует профили распределения ионов и дефектов на основе синтетических данных. На втором этапе модель точно рассчитывает итоговое сопротивление слоя, дообучаясь на экспериментальных замерах. Особенностью предложенного подхода является совместный учет параметров баллистической фазы внедрения и термодинамических факторов последующей обработки. Модель успешно выявляет скрытые нелинейные закономерности между дозой облучения, плотностью ионного тока, температурой подложки и результирующими электрофизическими свойствами полупроводникового материала. В качестве прикладного программного обеспечения в работе использовались специализированный программный комплекс SRIM/TRIM (модуль TRIM) для статистического моделирования баллистической фазы имплантации методом Монте-Карло, а также язык программирования Python с открытыми библиотеками машинного обучения для разработки предиктивных моделей и графического интерфейса пользователя.

The study presents a two-stage physics-informed machine learning architecture. In the first stage, the algorithm predicts ion and defect distribution profiles based on synthetic data. In the second stage, the model accurately calculates the final sheet resistance by fine-tuning on experimental measurements. A key feature of the proposed approach is the simultaneous consideration of the ballistic implantation phase parameters and the thermodynamic factors of subsequent processing. The model successfully identifies hidden non-linear correlations between the implantation dose, ion current density, substrate temperature, and the resulting electrophysical properties of the semiconductor material. The application software used in the work included the specialized SRIM/TRIM software package (TRIM module) for statistical modeling of the ballistic phase of implantation using the Monte Carlo method, as well as the Python programming language with open machine learning libraries for developing predictive models and a graphical user interface.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Загрузить
Интернет Анонимные пользователи
...