Details
| Title | Оптимизация режимов ионного легирования кремния с помощью искусственного интеллекта: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_12 «Физика и нанотехнологии смарт-материалов» = Optimization of silicon ion implantation regimes using artificial intelligence |
|---|---|
| Creators | Ильин Андрей Дмитриевич |
| Scientific adviser | Винниченко Максим Яковлевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2026 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | ионная имплантация ; термический отжиг ; кремний ; машинное обучение ; случайный лес ; цифровой двойник ; SRIM/TRIM ; ion implantation ; thermal annealing ; silicon ; machine learning ; random forest ; digital twin |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-3273 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | ru\spstu\vkr\41849 |
| Record create date | 8/4/2026 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if administrator prepare required files
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В работе создана двухэтапная архитектура физико-информированного машинного обучения. На первом этапе алгоритм прогнозирует профили распределения ионов и дефектов на основе синтетических данных. На втором этапе модель точно рассчитывает итоговое сопротивление слоя, дообучаясь на экспериментальных замерах. Особенностью предложенного подхода является совместный учет параметров баллистической фазы внедрения и термодинамических факторов последующей обработки. Модель успешно выявляет скрытые нелинейные закономерности между дозой облучения, плотностью ионного тока, температурой подложки и результирующими электрофизическими свойствами полупроводникового материала. В качестве прикладного программного обеспечения в работе использовались специализированный программный комплекс SRIM/TRIM (модуль TRIM) для статистического моделирования баллистической фазы имплантации методом Монте-Карло, а также язык программирования Python с открытыми библиотеками машинного обучения для разработки предиктивных моделей и графического интерфейса пользователя.
The study presents a two-stage physics-informed machine learning architecture. In the first stage, the algorithm predicts ion and defect distribution profiles based on synthetic data. In the second stage, the model accurately calculates the final sheet resistance by fine-tuning on experimental measurements. A key feature of the proposed approach is the simultaneous consideration of the ballistic implantation phase parameters and the thermodynamic factors of subsequent processing. The model successfully identifies hidden non-linear correlations between the implantation dose, ion current density, substrate temperature, and the resulting electrophysical properties of the semiconductor material. The application software used in the work included the specialized SRIM/TRIM software package (TRIM module) for statistical modeling of the ballistic phase of implantation using the Monte Carlo method, as well as the Python programming language with open machine learning libraries for developing predictive models and a graphical user interface.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|