Details

Объект исследования – волноводный фотодиод с активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs. Цель работы – определение механизма взаимодействия излучения с активной областью на основе квантовых яма-точек, который приводит к снижению поляризационной чувствительности волноводных фотодиодов с КЯТ при увеличении их длины, или количества слоёв КЯТ. В ходе работы построены расчётные модели на основе формализма Мюллера и экспериментально определён вектор Стокса излучения на выходе волноводного фотодиода. Установлено, что снижение поляризационной чувствительности обусловлено нарушением правил отбора с модальным TMпоглощением 0,8 см⁻¹ на слой КЯТ. Результаты могут быть использованы при проектировании поляризационно-нечувствительных фотоприёмников для волоконно-оптических систем связи. Актуальность работы обусловлена потребностями современной интегральной фотоники и волоконно-оптических систем связи в создании фотоприемников с управляемой поляризационной чувствительностью. Проведён поиск информации в глобальных компьютерных сетях при подготовке обзора литературы и анализе актуальных публикаций по теме исследования.

Object of research – waveguide photodiode with an active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots. Objective – determination of the mechanism of light interaction with the active region based on quantum well-dots, which leads to a reduction in the polarization sensitivity of waveguide photodiodes with QWD as their length or number of QWD layers increases. The relevance of the work is driven by the demands of modern integrated photonics and fiber-optic communication systems for photodetectors with controllable polarization sensitivity. In the course of the work, theoretical models were constructed using the Mueller matrix formalism and the Stokes vector of the radiation at the output of the waveguide photodiode was experimentally determined. It was established that the reduction in polarization sensitivity with increasing waveguide length is caused by a violation of selection rules with a modal TM absorption of 0.8 cm⁻¹ per QWD layer. The results can be applied in the design of polarization-insensitive photodetectors for fiber-optic communication systems. A search of information in global computer networks was conducted during the preparation of the literature review on the topic of the research.