Details

Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы на основе InAs позволяют преодолеть ограничения объемных и тонкопленочных устройств. Они имеют большие перспективы для использования в высокоскоростных электронных устройствах, фотодетекторах, а также в светодиодах в инфракрасном диапазоне спектра. Особенностью данного материала является наличие малой ширины запрещенной зоны, высокая подвижность, а также малая эффективная масса электрона. В результате работы были получены спектры поглощения, имеющие один явный пик, который связан с резонансным поглощением, а также дополнительный пик или провал, связанный с особенностями установки. Основной пик поглощения отличался, не только положением относительно энергии, но и разным уширением. Данная особенность напрямую связана с геометрическими размерами образцов, а также их однородностью или же неоднородностью. Также была получена температурная зависимость для нитевидные нанокристаллы на основе твердого раствора InAsN с содержанием азота 0,4%, из которой следует, что при увеличении температуры решетки весь спектр поглощения смещается в сторону меньших энергий, а также наблюдается увеличение поглощения. Проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях Google Scholar.

The aim of this work is to study infared absorption nanowires based on InAs. Semiconductor nanowires based on InAs make it possible to overcome the limitations of bulk or thin film devices. They have great promise for use in high-speed electronic devices, photodetector, and also in LEDs in infrared range of the spectrum. A specific of this material is the presence of small badgap, high electron mobility, a low effective electron mass. As a result of this work absorption spectra were obtained, which consist one peak associated with resonant absorption, and also peak or the fall associated with exeperimental setup. Main peak absorption differ not only to the position with respect to energy but also in its broadening. This behavior is directly related to the geometric dimensions of the sample and their homogeneity and inhomogeneity during structure growth. Also the temperature dependence was obtained for nanowires based on InAsN solid solution with nitrogen content of 0,4% . It follows from this spectra, that as the lattice temperature increases, the entire absorption spectrum shifts toward lower energies, and an increase in absorption in observed. The information was searched in the global networks of Google Scholar.